Моделирование радиационно-устойчивой ячейки памяти SRAM

Бесплатный доступ

Выполняется анализ радиационно-устойчивой ячейки памяти SRAM DICE - SRAM, как дублированного SR триггера с инверсными входами и автомата Мура. Получаются характеристические уравнения, описывающие DICE - SRAM. Устанавливаются путем моделирования в системе схемотехнического моделирования NI Multisim 10 фирмы National Instruments Electronics Workbench Group виды отказов, парируемых ячейкой.

Радиационно-устойчивая ячейка памяти dice - sram, характеристические уравнения, сбои, отказы, система схемотехнического моделирования ni multisim

Короткий адрес: https://sciup.org/14729982

IDR: 14729982

Список литературы Моделирование радиационно-устойчивой ячейки памяти SRAM

  • С. Цыбин. Программируемая коммутация ПЛИС: взгляд изнутри. URL: http://www. kit-e.ru/articles/plis/2010_11_56.php (Дата обращения 2.11.13).
  • Donald C. Mayer, Ronald C. Lacoe. Designing IntegratedCircuits to Withstand Space Radiation. Vol.4, № 2. Crosslink. URL: http://www.aero. org/publications/crosslink/su mmer2003/06.html (дата обращения 20.10.2013).
  • Тюрин С.Ф., Морозов А.Н. Отказоустойчивая ячейка памяти с использованием функционально-полных толерантных элементов//Вестник Пермского университета. Серия: Математика. Механика. Информатика. 2012. № 4. С. 68-75.
  • Тюрин С.Ф. Логические элементы с избыточным базисом//Вестник Пермского университета. Серия: Математика. Меха-ника. Информатика. 2013. № 3 (22). С. 91-105.
  • Тюрин С.Ф., Плотникова А.Ю. Концепция «зеленой» логики//Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Электротехника, информационные технологии, системы управления. 2013. № 58. С. 61 -73.
  • NI Multisim. URL: http://sine.ni.com/np/app/main/p/docid/nav-98/lang/ru/(дата обра щения 27.09.2013).
Статья научная