Моделирование воздействия позитивного и негативного фоторезиста на LER-эффект
Автор: Кульпинов М.С., Лосева В.В., Балашов А.Г., Красюков А.Ю., Калнов А.Д.
Журнал: Международный журнал гуманитарных и естественных наук @intjournal
Рубрика: Технические науки
Статья в выпуске: 11-2 (98), 2024 года.
Бесплатный доступ
В работе проведен анализ и оценка влияния негативного и позитивного тона фоторезиста на образование неровностей фоторезистивной маски и шероховатостей ширины линий. Проанализирована взаимосвязь между вариацией шероховатости, критическим размером и шагом с помощью моделирования.
Позитивный тон фоторезиста, негативный тон фоторезиста, неровности фоторезистивной маски, шероховатость ширины линии, критические размеры
Короткий адрес: https://sciup.org/170208875
IDR: 170208875 | DOI: 10.24412/2500-1000-2024-11-2-237-240
Список литературы Моделирование воздействия позитивного и негативного фоторезиста на LER-эффект
- Huynen M., Waeytens R., Bosman D., Gossye M., Rogier H., Ginste D.V. Reduced-Order Stochastic Testing of Interconnects Subject to Line Edge Roughness // IEEE 27th Workshop on Signal and Power Integrity (SPI), Aveiro, Portugal, 2023.
- Kang I., Kim T., Hur S., Ban C., Park J., Oh H. Line width roughness variation and printing failures caused by stochastic effect at extremeultraviolet exposure // Proc. SPIE 11609, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography XII, 116091K, 22 February 2021.
- Brunner T.A., Chen X., Gabor A., Higgins C., Sun L., Mack C.A. Line-edge roughness performance targets for EUV lithography // Proc. SPIE 10143, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII, 101430E, 24, March, 2017.
- Rahmani M., Ahmadi V., Faez R. Engineered nanopores-based armchair graphene nanoribbon FET with resonant tunneling performance // IEEE Trans. Electron Devices. - 2019. - Vol. 66, № 12. - Pp. 5339-5346.
- Seo J., Jung S., Shin M. The performance of uniaxially strained phosphorene tunneling field- effect transistors // IEEE Electron Device Lett. - 2017. - Vol. 38, № 8. - Pp. 1150-1152. EDN: YIZUDO
