Молекулярно-динамическое исследование формирования границы раздела между металлическими нанопленками
Автор: Игошкин Антон Михайлович, Головнев Игорь Федорович, Фомин Василий Михайлович
Рубрика: Математическое моделирование
Статья в выпуске: 1 т.6, 2013 года.
Бесплатный доступ
В настоящее время изучение совокупности механизмов, ответственных за формирование наноструктур на подложке при осаждении металлов из пучка или из газовой фазы, не завершено. Для выявления этих механизмов необходимы методы исследования процессов на атомарном уровне, среди которых одним из самых мощных является метод молекулярной динамики, что обусловливает его актуальность при решении данной задачи. В работе исследуется влияние ориентации и температуры подложки на формирование границы раздела Ag/Cu.
Осаждение из газовой фазы, молекулярно-динамическое моделирование, наноструктуры, граница раздела
Короткий адрес: https://sciup.org/147159193
IDR: 147159193
Список литературы Молекулярно-динамическое исследование формирования границы раздела между металлическими нанопленками
- Mitchell, K.A.R. A Test of Energy Averaging in LEED: The Coincidence Lattice Structure Formed by Ag on Cu (111)/K.A.R. Mitchell, D.P. Woodruff, G.W. Vernon//Surface Science. -1974. -V. 46, issue 2. -P. 418-426.
- Mottet, C. Structures of a Ag Monolayer Deposited on Cu (111), Cu (100), and Cu (110) Substrates: an Extended Tight-Binding Quenched-Molecular-Dynamics Study/C. Mottet, G. Treglia, B. Legrand//Phys. Rev. B. -1992. -V. 46, № 24. -P. 16018-16030.
- Atomic-Scale Determination of Misfit Dislocation Loops at Metal-Metal Interfaces/J. Jacobsen, L. Pleth Nielsen, F. Besenbacher, I. Stensgaard, E. Laegsgaard, T. Rasmussen, K. W. Jacobsen, J.K. Norskov//Phys. Rev. Lett. -1995. -V. 75, № 3. -P. 489-492.
- Ag/Cu (111): an Incommensurate Reconstruction Studied with Scanning Tunneling Microscopy and Surface X-Ray Diffraction/B. Aufray, M. Gothelid, J.-M. Gay, C. Mottet, E. Landemark, G. Falkenberg, L. Lottermoser, L. Seehofer, R.L. Johnson//Microscopy Microanalysis Microstructures. -1997. -V. 8, № 3. -P. 167-174.
- Ag/Cu (111) Structure Revisited Through an Extended Mechanism for Stress Relaxation/I. Meunier, G. Treglia, J.-M. Gay, B. Aufray, B. Legrand//Phys. Rev. B. -1999. -V. 59. -P. 10910-10917.
- Molecular Dynamics Simulations for the Ag/Cu (111) System: from Segregated to Constitutive Interfacial Vacancies/I. Meunier, G. Treglia, B. Legrand, R. Tetot, B. Aufray, J.-M. Gay//Appl. Surf. Sci. -2000. -V. 219. -P. 162-163.
- Thermal Dependence of Surface Polymorphism: the Ag/Cu (111) Case/I. Meunier, R. Tetot, G. Treglia, B. Legrand//Applied Surface Science. -2001. -V. 177, № 4. -P. 252-257.
- Misfit Dislocation Loops or Incommensurate Structure at an Interface: Vibrational and Anharmonic Effects/I. Meunier, G. Treglia, R. Tetot, J. Creuze, F. Berthier, B. Legrand//Phys. Rev. B. -2002. -V. 66, № 12. -P. 125409-125423.
- Rassmussen, T. Simulation of Misfit Dislocation Loopsat the Ag/Cu (111) Interface/T. Rassmussen//Phys. Rev. B. -2000. -V. 62, № 19. -P. 12664-12667.
- Daw, M.S. Embedded Atom Method: Derivation and Application to Impurities, Surfaces and Other Defects of Metals/M.S. Daw and M.I. Baskes//Phys. Rev. B. -1984. -V. 29, № 12. -P. 6443-6453.
- Voter, A.F. Embedded Atom Method Potentials for Seven fcc Metals: Ni, Pb, Pt, Cu, Ag, Au and Al/A.F. Voter//Los Alamos Unclassified technical report # LA-UR 93-3901, 1993.
- Головнева, Е.И. Моделирование квазистатических процессов в кристаллах методом молекулярной динамики/Е.И. Головнева, И.Ф. Головнев, В.Ф. Фомин//Физ. мезомеханика. -2003. -Т. 6, № 6. -С. 5-10.
- Болеста, А.В. Плавление на контакте при соударении кластера никеля с жесткой стенкой/А.В. Болеста, И.Ф. Головнев, В.Ф. Фомин//Физ. мезомеханика. -2001. -Т. 4, № 1. -С. 5-10.
- Molecular Dynamics with Coupling to an External Bath/H.J.C. Berendsen, J.P.M. Postma, W.F. van Gunsteren, A. DiNola, J.R. Haak//J. Chem. Phys. -1984. -V. 81, № 8. -P. 3684-3690.
- Ray, J.R. Statistical Ensembles and Molecular Dynamics Studies of Anisotropic Solids/J.R. Ray, A. Rahman//J. Chem. Phys. -1984. -V. 80, № 9. -P. 4423-4428.
