О перспективах создания кремниевого полевого СВЧ-транзистора для работы в режиме температур 450-700 К
Автор: Федотов А.Б.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 4 т.17, 2014 года.
Бесплатный доступ
Предложена модель кремниевого МДП-транзистора, предназначенного для работы в импульсном режиме вплоть до T = 550 К. Основная особенность модели заключается в аномально высоком уровне легирования области стока. Выполнена оценка скорости деградации рабочих параметров прибора. Показано, что время работоспособности прибора при длине канала L ~ 600 нм и глубине его расположения под рабочей поверхностью x_10 ≥ 500 нм составляет не менее 1,5 лет. Расчеты времен деградации выполненные для T = (600-700) К могут быть полезны при проектировании высокотемпературных приборов на базе широкозонных полупроводников.
Кремниевый полевой свч-транзистор, импульсный режим, высокий уровень легирования области стока, скорость деградации
Короткий адрес: https://sciup.org/140255886
IDR: 140255886
Список литературы О перспективах создания кремниевого полевого СВЧ-транзистора для работы в режиме температур 450-700 К
- Полищук А. Полупроводниковые материалы и приборы для жестких условий эксплуатации // Совр. технологии. 2006. № 4. С. 20-24.
- Панютин Е.А. Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства: автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. СПб.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2009. 22 с.
- Жиляев Ю.В., Панютин Е.А., Федоров Л.М. Высокотемпературные динисторы на основе фосфида галлия // Письма в ЖТФ. 2009. Вып. 17. С. 50-57.
- Китаев В.Е., Бокуняев А.А., Колканов М.Ф. Расчет источников электропитания для средств связи. М.: Радио и связь, 1993. 232 с.
- Пожела Ю.К. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с.
- Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Лань, 2010, 400 с.
- Айспрук Н. Арсенид галлия в микроэлектронике. М.: Мир, 1988. 555 с.
- Кузнецов Ф.А. Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Сибирское отделение РАН, 1988. 195 с.
- Гуртов В.А. Твердотельная электроника. М.: Мир, 2005. 492 с.
- Федотов А.Б. Оценка скорости изменения параметров биполярного СВЧ-транзистора, работающего в высокотемпературном режиме // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2014. Т. 17. № 1. С. 45-49.
- Александров О.В. Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1289-1298.
- Velichko O.I., Aksenov V.V., Kovaleva A.P. Modeling of the interstitial diffusion in crystalline silicon // Journal of Engineering Physics and Thermophysics. 2012. Vol. 85. № 4. P. 926-932.
