Об особенностях фона, обусловленных переносом и сбором электронов в Si-детекторе
Автор: Портной Александр Юрьевич, Павлинский Г.В., Горбунов М.С., Сидорова Ю.И.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Приборные иследования и разработки для разных областей
Статья в выпуске: 4 т.21, 2011 года.
Бесплатный доступ
Оценено влияние мертвого слоя детектора на форму расчетной функции отклика Si-детектора. В области энергий, ниже чем энергия регистрируемого излучения, показана роль мертвого слоя детектора и рассмотрены особенности формы функции отклика детектора.
Si-детектор, функция отклика, неполный сбор заряда, мертвый слой, отношение сигнал/фон
Короткий адрес: https://sciup.org/14264749
IDR: 14264749
Статья научная
