ОБОРУДОВАНИЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 200 мм ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТРАНЗИСТОРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
Автор: М. Г. Бирюков, П. Е. Афонин, С. А. Щуренкова, Д. Ю. Пугачев, А. Ф. Цацульников, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, Д. С. Базаревск
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Разработка приборов и систем
Статья в выпуске: 3, 2025 года.
Бесплатный доступ
Рассмотрены преимущества использования III-N гетероструктур GaN на кремниевом типе подложек. Представлена общая конструкция, способы оптимизации процесса осаждения и ключевые характеристики разработанной установки газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОС-гидридной эпитаксии) для реализации базовых технологических процессов на подложках кремния диаметром до 200 мм для производства транзисторных гетероструктур. Показаны результаты реализованных базовых технологических процессов.
Установка МОС-гидридной эпитаксии, транзисторная гетероструктура, нитрид галлия на кремнии, моделирование, базовый технологический процесс
Короткий адрес: https://sciup.org/142245619
IDR: 142245619 | УДК: 621.793.162;621.315.592
Список литературы ОБОРУДОВАНИЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 200 мм ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТРАНЗИСТОРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
- 1. Бондарь Д. Нитрид галлия — премьер среди новых материалов полупроводниковой микроэлектроники // Компоненты и технологии. 2018. № 4. С. 134–137. URL: https://kit-e.ru/nitrid-galliya/
- 2. Гуминов Н.В., Мьо М.Т., Романюк В.А., Шомахмадов Д.П. Cравнение характеристик GAAS и GAN hemt-транзисторов // Известия вузов. Электроника. 2019. Т. 24, № 1. С. 42–50. URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=36948530
- 3. Padwal P. Global GaN Semiconductor Devices Market Size & Share Report 2030. 2024. URL: https://www.researchgate.net/publication/379543309_Global_GaN_Semiconductor_Devices_Market_Size_Share_Report_2030
- 4. Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники. М.: ТЕХНОСФЕРА, 2018. 488 с.
- 5. Лундин В.В., Заварин Е.Е., Сахаров А.Ф., Цацульников А.Ф., Устинов В.М. Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее // Научное приборостроение. 2017. Т. 27, №. 1. С. 5–9. URL: http://iairas.ru/mag/2017/abst1.php#abst1
- 6. Великовский Л.Э., Сим П.Е., Демченко О.И. и др. Технология СВЧ транзисторов на основе InAlN/GaN и AlGaN/GaN гетероструктур // VIII Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ", 2019 г. С. 625–628. URL: https://mwelectronics.etu.ru/assets/files/2019/1/06_09.pdf
- 7. Федотов С.Д.,Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Соколов Е.М., Стаценко В.Н. Гетероструктуры Ga(Al)N на сверхвысокоомном эпитаксиальном кремнии диаметром 150 мм для СВЧ и силовой электроники // Наноиндустрия. 2024. Т. 17, № S10-1 (128). С. 150–154. URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68016112
- 8. Su J., Armour E., Lee S.M., Arif R., Papasouliotis G.D. Uniform growth of III-nitrides on 200 mm silicon substrates using a single wafer rotating disk MOCVD reactor // Phys. Status Solidi (a). 2016. Vol. 213, no. 4. P. 856–860. DOI: 10.1002/pssa.201532708
- 9. Бунтов Е. Гетероструктуры на основе нитрида галлия (GaN) и технологии компании OMMIC на их основе // СВЧ электроника. 2017. № 3. С. 48–51. URL: https://microwave-e.ru/materials/geterostruktury-naosnove-gan/а б
- 10. Irvine S., Capper P. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE): Growth, Materials Properties, and Applications. E–book. Wiley Series in Materials for Electronic & Optoelectronic Applications 2019. 584 p. DOI: 10.1002/9781119313021
- 11. Di Paolo E.M. SiC Technology: Materials, Manufacturing, Devices and Design for Power Conversion. Springer, 2024. 320 p. DOI: 10.1007/978-3-031-63418-5
