ОБОРУДОВАНИЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 200 мм ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТРАНЗИСТОРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

М. Г. Бирюков; П. Е. Афонин; С. А. Щуренкова; Д. Ю. Пугачев; А. Ф. Цацульников; А. В. Сахаров; Е. Е. Заварин; В. В. Лундин; Д. С. Базаревск; M. G. Biryukov; P. E. Afonin; S. A. Shchurenkova; D. Y. Pugachev; A. F. Tsatsulnikov; A. V. Sakharov; E. E. Zavarin; W. V. Lundin; D. S. Bazarevski

Научные статьи \ Прикладные науки. Медицина. Технология \ Инженерное дело. Техника в целом \ Общее машиностроение. Ядерная технология. Электротехника. Технология машиностроения \ Технология обработки без снятия стружки в целом: процессы, инструмент, оборудование и приспособления

ОБОРУДОВАНИЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 200 мм ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТРАНЗИСТОРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

М. Г. Бирюков П. Е. Афонин С. А. Щуренкова Д. Ю. Пугачев А. Ф. Цацульников А. В. Сахаров Е. Е. Заварин В. В. Лундин Д. С. Базаревск

Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie

Рубрика: Разработка приборов и систем

Статья в выпуске: 3, 2025 года.

Бесплатный доступ

Рассмотрены преимущества использования III-N гетероструктур GaN на кремниевом типе подложек. Представлена общая конструкция, способы оптимизации процесса осаждения и ключевые характеристики разработанной установки газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОС-гидридной эпитаксии) для реализации базовых технологических процессов на подложках кремния диаметром до 200 мм для производства транзисторных гетероструктур. Показаны результаты реализованных базовых технологических процессов.

установка МОС-гидридной эпитаксии \ транзисторная гетероструктура \ нитрид галлия на кремнии \ моделирование \ базовый технологический процесс

Похожие статьи в разделе Технология обработки без снятия стружки в целом: процессы, инструмент, оборудование и приспособления

Установка хлорид-гидридной газофазной эпитаксии для выращивания объемных слоев нитрида галлия

Вороненков Владислав Валерьевич, Бочкарева Н.И., Вирко М.В., Горбунов Р.И., Зубрилов А.С., Коготков В.С., Латышев Ф.Е., Леликов Ю.С., Леонидов А.А., Шретер Ю.Г.

Прорезание канавок импульсным и квазинепрерывным CO2-лазерами пленок GaN для отвода газообразного азота

Ефремов И.Д.

Однокристальный приемный модуль со встроенной антенной на диапазоне частот 66-67 ГГц для систем сотовой связи 5G

Крапухин Дмитрий Владимирович, Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В.

Получение варизонного твердого раствора Si1-xGex из жидкой фазы

Раззаков Алижон Шоназарович, Латипова Муборак Аманбаевна, Кадиров Алибек Хамраевич

Осаждение металлов в нанопоры кремния при формировании стоковой области силового транзистора

Шахмаева Айшат Расуловна, Захарова Патимат Расуловна, Фейламазова Светлана Абдуллаевна

Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее

Лундин Всеволод Владимирович, Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Устинов В.М.

Короткий адрес: https://sciup.org/142245619

IDS: 142245619 | УДК: 621.793.162;621.315.592

EQUIPMENT FOR MOCVD EPITAXY OF GALLIUM NITRIDE ON SILICON SUBSTRATES UP TO 200 mm IN DIAMETER FOR THE PRODUCTION OF TRANSISTOR HETEROSTRUCTURES

The advantages of using III-N GaN heterostructures on silicon substrates are considered. The general design, methods for optimizing the deposition process and key characteristics of the developed equipment for metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) for the implementation of basic technological processes on silicon substrates with a diameter of up to 200 mm for the production of transistor heterostructures are presented. The results of the implemented basic technological processes are shown.

Список литературы ОБОРУДОВАНИЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 200 мм ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТРАНЗИСТОРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

1. Бондарь Д. Нитрид галлия — премьер среди новых материалов полупроводниковой микроэлектроники // Компоненты и технологии. 2018. № 4. С. 134–137. URL: https://kit-e.ru/nitrid-galliya/
2. Гуминов Н.В., Мьо М.Т., Романюк В.А., Шомахмадов Д.П. Cравнение характеристик GAAS и GAN hemt-транзисторов // Известия вузов. Электроника. 2019. Т. 24, № 1. С. 42–50. URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=36948530
3. Padwal P. Global GaN Semiconductor Devices Market Size & Share Report 2030. 2024. URL: https://www.researchgate.net/publication/379543309_Global_GaN_Semiconductor_Devices_Market_Size_Share_Report_2030
4. Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники. М.: ТЕХНОСФЕРА, 2018. 488 с.
5. Лундин В.В., Заварин Е.Е., Сахаров А.Ф., Цацульников А.Ф., Устинов В.М. Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее // Научное приборостроение. 2017. Т. 27, №. 1. С. 5–9. URL: http://iairas.ru/mag/2017/abst1.php#abst1
6. Великовский Л.Э., Сим П.Е., Демченко О.И. и др. Технология СВЧ транзисторов на основе InAlN/GaN и AlGaN/GaN гетероструктур // VIII Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ", 2019 г. С. 625–628. URL: https://mwelectronics.etu.ru/assets/files/2019/1/06_09.pdf
7. Федотов С.Д.,Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Соколов Е.М., Стаценко В.Н. Гетероструктуры Ga(Al)N на сверхвысокоомном эпитаксиальном кремнии диаметром 150 мм для СВЧ и силовой электроники // Наноиндустрия. 2024. Т. 17, № S10-1 (128). С. 150–154. URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68016112
8. Su J., Armour E., Lee S.M., Arif R., Papasouliotis G.D. Uniform growth of III-nitrides on 200 mm silicon substrates using a single wafer rotating disk MOCVD reactor // Phys. Status Solidi (a). 2016. Vol. 213, no. 4. P. 856–860. DOI: 10.1002/pssa.201532708
9. Бунтов Е. Гетероструктуры на основе нитрида галлия (GaN) и технологии компании OMMIC на их основе // СВЧ электроника. 2017. № 3. С. 48–51. URL: https://microwave-e.ru/materials/geterostruktury-naosnove-gan/а б
10. Irvine S., Capper P. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE): Growth, Materials Properties, and Applications. E–book. Wiley Series in Materials for Electronic & Optoelectronic Applications 2019. 584 p. DOI: 10.1002/9781119313021
11. Di Paolo E.M. SiC Technology: Materials, Manufacturing, Devices and Design for Power Conversion. Springer, 2024. 320 p. DOI: 10.1007/978-3-031-63418-5

Еще