Обработка пластин монокристаллического карбида кремния
Автор: Ивенин Станислав Васильевич
Журнал: Инженерные технологии и системы @vestnik-mrsu
Рубрика: Электротехника
Статья в выпуске: 4, 2015 года.
Бесплатный доступ
В представленной работе рассматриваются варианты технологического процесса обработки пластин монокристаллического карбида кремния, начиная с резки и заканчивая полировкой. На основе работ отечественных и зарубежных авторов показано, что наиболее важным и ответственным является заключительный этап, который должен обеспечить высокое качество поверхности (шероховатость
Карбид кремния, резка, шлифовка, полировка, механическая полировка, химическая полировка, химико-механическая полировка, скорость удаления материала, сум, шероховатость
Короткий адрес: https://sciup.org/14720187
IDR: 14720187 | DOI: 10.15507/0236-2910.025.201504.037
Список литературы Обработка пластин монокристаллического карбида кремния
- Влияние механической обработки на структуру поверхности монокристаллов карбида кремния/Н. И. Долотов //Физика и химия обработки материалов. -1986. -№ 4. -С. 69-71.
- Мазель, Е. З. Планарная технология кремневых приборов/Е. З. Мазель, Ф. П. Пресс. -Москва: Энергия, 1974. -410 с.
- Обработка полупроводниковых материалов/В. И. Карбань ; под ред. Н. В. Новикова, В. Бертольди. -Киев: Наукова думка, 1982. -256 с.
- Патент Российская Федерация, Н01Ь 21/304. Способ изготовления нанополированных пластин карбида кремния. -№ 234544262, опубл. 06.12.2008.
- Патент Российская Федерация, Н01Ь 21/304. Способ предэпитоксиальной обработки полированных подложек из карбида кремния. -№ 2345443, опубл. 20.06.2008.
- Фост, дж. Травление карбида кремния/Дж. Фост//Травление полупроводников: сб. науч. тр. -Москва: Мир, 1965. -265 с.
- Selectivity and residual damage of colloidal Silica chemi-mechanical polishing of silicon carbide / J. R. Grim [et al.] // Materials Science Forum : Silicon Carbide and Related Materials. - 2006. - Vol. 527-529. - pp. 1095-1098. The selectivity, material removal rate, and the residual subsurface damage of colloidal silica (CS) chemi-mechanical polishing (CMP) of silicon carbide substrates was investigated by using atomic force microscopy (AFM) and plan view transmission electron microscopy (TEM). Silica CMP, in most process conditions, was selective. In the damage region surrounding remnant scratches, the vertical material removal rate exceeded the planar material removal rate, which resulted in an enhancement of the scratches over the duration of the polishing process.
- Chemi-Mechanical Polishing of on -axis Semi-insulating SiC Substrates/V. D. Heydemann //Materials Science Forum: Silicon Carbide and Related Materials. -2003. -Vol. 457-460. -pp. 805-808.
- High throughput SiC water polidhing with good surface morphology/T. Kato //Materials Science Forum: Silicon Carbide and Related Materials. -2006. Vol. 556-557. -pp. 753-756.
- Augmented CMP Techniques for Silicon Carbide/P. Kuo, J. Currier//Materials Science Forum: Silicon Carbide and Related Materials. -2006. -Vol. 527-529. -pp. 1099-1102.
- Surface preparation of 6H-SiC substrates for growth of high quality SiC epilayer/K. S. Lee //Materials Science Forum: Silicon Carbide and Related Materials. -2003. -Vol. 457-460. -pp. 797-800.
- Kihuchi, M. Mechanochemical polishing of Silicon Carbide single crystal Chromium (III) Oxide abrasive/M. Kihuchi, Ya. Takahashi, T. Suga//Jour. Am. Ceram. Soc. -1992. -Vol. 751. -pp. 189-193.
- Characterisation of polishing: Related Surface Damage in (0001) Silicon Carbide Substrate/W. Qiour //Jour. Electrochem. Soc. -1995. -Vol. 142, no. 12. -pp. 4290-4293.
- Zhou, L. Chemomechanical Polishing of Silicon Carbide/L. Zhou, V. Audurier, I. A. Powell//Jour. Electrochem. Soc. -1997. -Vol. 144, no. 6. -pp. 161-165.
