Оценка фазочастотных характеристик выходных цепей устройств е-класса

Бесплатный доступ

На основе унитарности [S]-матрицы выходной цепи устройства Е-класса дана оценка фаз коэффициентов передачи цепи на любой гармонике основной частоты. Выведены формулы для приблизительных фазочастотных характеристик модели устройства Е-класса с ключом, который работает в двух состояниях, соответствующих либо нулевому, либо бесконечному активным сопротивлениям. На примере представленных фазочастотных характеристик макета усилителя мощности Е-класса подтверждена справедливость полученных формул. С учетом сделанных из формул выводов сформулированы рекомендации для внесения дополнений в известные методики проектирования устройств Е-класса. Данные методики можно дополнить введением настройки параметров элементов выходных цепей, для которых в наибольшей степени соблюдаются установленные оценочные значения фаз коэффициентов передачи выходной цепи на гармониках при максимально возможном их числе.

Еще

Устройства е-класса, выходная цепь, фазочастотная характеристика

Короткий адрес: https://sciup.org/140297118

IDR: 140297118   |   DOI: 10.18469/1810-3189.2022.25.4.46-51

Текст научной статьи Оценка фазочастотных характеристик выходных цепей устройств е-класса

Публикации прошлых лет [1; 2], а также литературные источники последних лет [3–8] свидетельствуют о наличии постоянного интереса к усилителям и автогенераторам, работающим в режимах Е-класса на частотах с заходом в СВЧ-диапазон. Для таких усилителей и автогенераторов предложены модели, рассчитаны величины элементов их входных и выходных цепей, при которых электронный КПД устройств стремится к максимально возможной величине. Вместе с тем оценка фазочастотных характеристик выходных цепей устройств Е-класса в литературе отсутствует. Цель данной статьи – выполнить такую оценку и на ее основе дать рекомендации по коррекции известных методик проектирования выходных цепей устройств Е-класса.

Ход исследования

Рассмотрим на рис. 1 типовую модель устройства Е-класса. Транзисторный элемент с источником питания представим в виде ключа с внутренним активным сопротивлением r к, величина которого меняется скачком от нуля до бесконечности. Характерной для реальных СВЧ-транзисторов емкостью ключа в данной модели пренебрежем. Выходная цепь является реактивной и обычно содержит соединенные последовательно формирующий qf 1 и фильтрующий f 1 контуры. С ее помощью на выходе ключевого активного элемента

формируются необходимые для работы класса Е импедансы нагрузок Zk ( fk ) на основной частоте f 1 и ее гармониках fk . Формирующий контур, который в q -раз расстроен относительно частоты возбуждения, в этом процессе играет главную роль. Благодаря этому контуру в моменты включения (выключения) транзисторного ключа реализуются условия равенства нулю либо тока, протекающего через ключ, и его производной, либо напряжения на ключе и его производной. Другими словами, реализуется режим «переключения при нулевом напряжении или при нулевом токе» [1]. В результате устраняются коммутационные потери в моменты либо включения транзистора, либо его выключения соответственно. Нагрузкой выходной цепи является специально рассчитанное для работы в классе Е сопротивление R E, которое принципиально отличается от сопротивлений стандартных трактов. Типовое устройство Е-класса может также содержать (а может и не содержать) цепь согласования этого сопротивления R E со стандартной 50-омной нагрузкой.

Если обратимый (взаимный) реактивный четырехполюсник, каким является выходная цепь на рис. 1, описать унитарной [S]-матрицей, то для него при S 12 = S 21 и Ф 12 = Ф 21 выполняется выражение [9]:

Фи + ф 22 = 2 ф 12 ±п ,                               (1)

где фи , Ф 22 , Ф 12 , Ф 21 — аргументы соответствующих элементов [S]-матрицы.

2кта k= 1,2...со

1 1

9fl

/1

Re^ 50 Ом|

1                 .

КЛЮЧ N

1

Форм.

Фильтр.

Нагрузка

1 1

I J

| Согла- 1 1 сующая

I цепь 1

1                J

питания

1

контур

контур

Re

1      1

1 L

Выходная цепь

1 1

J Нагрузка I 50 Ом

Рис. 1. Типовая модель устройства Е-класса

Fig. 1. Typical model of an E class device

В терминах [S]-матрицы входной коэффициент отражения Г вх четырехполюсника определяется через коэффициент отражения Г н от его нагрузки R E так:

S 12 S 21 Г н

1 вх = S11 + d c

1 S 22 1 н

.

Тот же входной коэффициент отражения Г вх можно определить через входной импеданс четырехполюсника Z вх( fk ) и сопротивление r к по-другому [10]:

Г = Zbx ( fk ) г к                                         (з)

ВХ Z ( f ) + rK вх к

В режиме полного согласования выходной нагрузки R e , когда в выражении (2) Г н = 0, уравнение (3) при Z bx ( fk ) = Zk ( fk ) запишем следующим образом:

,     Zk ( fk ) - Г к

S I =               ,

Zk ( fk) + Г к

где * – знак комплексного сопряжения.

Учитывая выражение (4), а также то, что ^ 22 = 0, так как в рассматриваемой на рис. 1 модели R E является чисто активной величиной, перепишем уравнение (1) в новом виде:

( fk ) = arctgR | ;

+ П =

= arctg Im

Zk ( fk ) - Г к ) /Re f Zk ( fk ) - Г к Zk ( fk ) + Г к )! I Zk ( fk ) + г к

Уравнение (5), которое получено на основе условия унитарности [S]-матрицы выходной цепи устройства класса Е на рис. 1, представляет собой аргумент коэффициента передачи S 12 выходной цепи (или ее фазочастотные характеристики на любой k -й гармонике) в виде функции импеданса нагрузки ключа Zk ( fk ) на основной частоте и ее гармониках, а также как зависимость от существенно нелинейного активного сопротивления r к ключа, работающего принципиально в двух состояниях,

соответствующих либо нулевому, либо бесконечному сопротивлению.

Импедансы нагрузок ключа Zk ( fk ) для четырех известных усилителей мощности класса Е и дуальных им устройств сведены в таблицы, которые опубликованы в монографиях [5; 6]. Для одной выбранной среди таких усилителей пары рассмотрим в качестве примера их характеристики Zk и( fk ) и Zk ( fk ), представленные в таблице. В отличие от дуального устройства в исходном усилителе эти импедансы снабжены в таблице дополнительным индексом «и». Для обоих типов устройств в таблице приведены также их электронные КПД, которые рассчитаны в работах [5; 6] при различных числах k используемых гармоник. Очевидно, что в усилителях мощности Е-класса 100%-ный электронный КПД имеет место, если в их работе принимает участие максимальное число гармоник k ^ to . Используя табличные данные в выражении (5) для каждого из условий г к = 0 и г к = to , одновременно оценим поведение фазочастотных характеристик выбранных устройств Е-класса.

Для рассматриваемой пары усилителей Е-класса нетрудно установить, что при любых значениях Zk ( fk ) (или Zk и( fk )) в таблице и работе всех их ключей в двух состояниях, когда Г к = 0 и Г к = to , справедливо приближенное равенство

Ф 12 ( fk ) ~ 0 ± п (6)

Более того, можно показать также, что уравнение (6) выполняется и для других отмеченных в [5; 6] дуальных пар усилителей мощности Е-клас-са. При помощи равенства (6) дается оценка величины фазы коэффициента передачи на любой гармонике основной частоты для показанной на рис. 1 модели устройства, работающего в режиме Е-класса. Очевидно, если в этой модели учесть для реальных транзисторов избыточную величину их выходной емкости, которая превышает расчетное для Е-класса значение, то в уравнении (6) фазовые длины Ф 12 на гармониках могут отличаться от нуля или от величин ±п . Необходимость выполнения условия (6) является основанием для коррек-

Таблица. Электронные КПД и нагрузочные импедансы ключей дуальной пары усилителей мощности Е-класса Table. Electronic efficiency and load impedances of switches of a dual pair of class E power amplifiers

Номер гармоники

Нормированные импедансы нагрузок ключа в исходном усилителе класса Е

Нормированные импедансы нагрузок ключа в дуальном усилителе класса Е

Электронные КПД дуальной пары усилителей класса Е

k

Zk и при R Еи = 1

Zk при R Е = 1

КПД, %

1

1,527 + j 1,106

0,429 – j 0,311

7,9

2

j 2,723

j 0,367

66,6

3

j 1,816

j 0,551

75,6

4

j 1,361

j 0,735

83,8

5

j 1,089

j 0,918

86,3

6

j 0,908

j 1,102

89,5

7

j 0,778

j 1,285

90,6

8

j 0,681

j 1,469

92,4

9

j 0,605

j 1,652

92,9

10

j 0,545

j 1,836

94

k ^ «

_ nn 2 + 4) R EH Xk =    - 8 k

8 kR

Хь =E— n ( n 2 + 4)

100

Рис. 2. Зависимости КСВНвых (кривая 1) и модуля коэффициента отражения на выходе |S22| (кривая 2) от частоты Fig. 2. Dependences of VSWRout (curve 1) and module of reflection coefficient at the output |S22| (curve 2) on frequency

ции известных методик проектирования выходных цепей устройств Е-класса [5; 11]. Например, в усилителях мощности Е-класса кроме реализации табличных значений нагрузок ключей на основной частоте и ее (в идеале – всех) гармониках эти методики необходимо дополнить введением более «тонкой настройки» разрабатываемых выходных цепей. Данная настройка заключается в выборе параметров элементов выходных цепей, где в наибольшей степени соблюдается равенство (6) при использовании максимально возможного числа гармоник k .

Для подтверждения сделанных на основе равенства (6) выводов используем экспериментальные результаты, которые получены в работе [5] для исходного усилителя мощности Е-класса с такими же, как в таблице, импедансами нагрузок ключей. Рассмотрим тот же макет усилителя мощности, который разработан на транзисторе FLL120MK с минимальной выходной емкостью 6,5 пФ. Используя рекомендации книги [12], получим для рассматриваемого усилителя Е-класса его частотные зависимости выходных КСВНвых и модуля коэффициента отражения |S22|. Одновременно с

Рис. 3. Амплитудно-частотная |S 12I (кривая 1) и фазочастотная Z 5 12 (кривая 2) характеристики выходной цепи Fig. 3. Amplitude-frequency |S 12 | (curve 1) and phase-frequency Z 5 12 (curve 2) characteristics of the output circuit

этим проведем оптимизацию фаз коэффициентов передачи выходной цепи усилителя на гармониках. Регулируя параметры элементов выходных цепей данного усилителя, эти фазы в соответствии с уравнением (6) оптимизируются на каждой из гармоник при максимально возможном числе k . В результате для такого усилителя одновременно получены на рис. 2 зависимости КСВНвых( f ) (кривая 1) и |S22|( f ) (кривая 2), а также на рис. 3 – амплитудно-частотная |S12|( f ) (кривая 1) и фазочастотная Ф 12 ( f ) = arg 5 12 ( f ) (кривая 2) характеристики.

Из приведенных на рис. 2 графиков видно, что на рабочей частоте 915 МГц имеет место практически идеальное согласование импеданса Z 1 ( f 1 ) с трактом на выходе 50 Ом, так как |S22| = –59,4 дБ. Более того, до восьмой гармоники включительно КСВНвых > 8,5. При выбранных в усилителе структуре и параметрах элементов выходной цепи такие высокие значения КСВНвых свидетельствуют о режимах «холостого хода», которые реализуются на его гармониках. Кроме того, частотные зависимости на рис. 2 практически совпадают с аналогичными зависимостями, которые получены в работах [5; 11].

Приведенная на рис. 3 амплитудно-частотная характеристика усилителя подтверждает его идеальное согласование на основной частоте. Вместе с тем из анализа фазочастотной характеристики выходной цепи усилителя следует, что значения фаз на тех же, что и на рис. 2, частотах гармоник близки к нулевым величинам или значениям ±п. Это подтверждает теоретические выводы, кото- рые сделаны на основе полученных выше уравнений (5) и (6). Однако некоторые отклонения (особенно на частотах высших гармоник) фаз ф^ (fk) от теоретически установленных пределов связаны, очевидно, с тем, что избыточные величины выходной емкости выбранного СВЧ-транзистора проявляются в большей степени именно с ростом k.

Заключение

Таким образом, для устройства Е-класса на основе унитарности [S]-матрицы его выходной цепи дана оценка аргументов ее коэффициентов передачи на любой гармонике основной частоты. Получены формулы (5) и (6) для приблизительных фазочастотных характеристик модели устройства Е-класса с ключом, который работает в двух состояниях, соответствующих его нулевому и бесконечному активным сопротивлениям. На примере представленных фазочастотных характеристик разработанного в [5; 11] макета усилителя мощности Е-класса подтверждена справедливость приблизительного равенства (6). С учетом следующих из выражений (5) и (6) выводов сформулированы рекомендации для внесения дополнений в известные методики проектирования устройств Е-клас-са [5; 6; 11]. Данные методики можно дополнить введением настройки параметров элементов выходных цепей, для которых в наибольшей степени соблюдается равенство (6) при использовании максимально возможного числа гармоник k .

Список литературы Оценка фазочастотных характеристик выходных цепей устройств е-класса

  • Транзисторные генераторы гармонических колебаний в ключевом режиме / В.Б. Козырев [и др.]; под ред. И.А. Попова. М.: Радио и связь, 1985. 192 с.
  • Повышение эффективности мощных радиопередающих устройств / А.Д. Артым [и др.]; под ред. А.Д. Артыма. М.: Радио и связь, 1987. 176 с.
  • Крыжановский В.Г. Транзисторные усилители с высоким КПД. Донецк: Апекс, 2004. 448 с.
  • Grebennikov A.V., Sokal N.O. Switchmode RF Power Amplifiers. Burlington: Newnes, Elsevier, 2007. 424 p.
  • Баранов А.В., Моругин С.Л. Транзисторные усилители-ограничители мощности гармонических СВЧ-колебаний. М.: Горячая линия – Телеком, 2019. 332 с.
  • Баранов А.В., Кревский М.А. Транзисторные автогенераторы гармонических СВЧ-колебаний. М.: Горячая линия – Телеком, 2021. 276 с.
  • Крыжановский В.Г., Принцовский В.А. Автогенератор класса Е СВЧ-диапазона // Изв. высших учебных заведений. Радиоэлектроника. 2006. Т. 49, № 11. С. 43–51.
  • Вильмицкий Д.С., Девятков Г.Н. Математическая модель идеального устройства класса Е // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2010. Вып. 3. С. 16–25.
  • Фельдштейн А.Л., Явич Л.Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М.: Связь, 1965. 352 с.
  • Маттей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи / под ред. Л.В. Алексеева, Ф.В. Кушнира. М.: Связь, 1971. Т. 1. 440 с.
  • Баранов А.В. Проектирование СВЧ-усилителей большой мощности в классе «Е» // Радиотехника. 2006. № 12. С. 65–70.
  • Разевиг В.Д., Потапов Ю.В., Курушин А.А. Проектирование СВЧ-устройств с помощью Microwave Office / под ред. В.Д. Разевига. М.: Солон-Пресс, 2003. 496 с.
Еще
Статья научная