Оценка скорости изменения параметров биполярного СВЧ-транзистора, работающего в высокотемпературном режиме
Автор: Федотов А.Б.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 1 т.17, 2014 года.
Бесплатный доступ
Вычислена скорость изменения топологических параметров (ширина и уровень легирования базы, коэффициент неоднородности) биполярного p-n-p-транзистора, предназначенного для работы при температурах T = [500-700] K. Выполнена оценка скорости деградации рабочих параметров прибора. Показано, что достаточно стабильный высокотемпературный транзистор должен иметь уровень легирования базы не менее 5*10 18 см -3 при достаточно большой глубине ее залегания.
Свч-транзистор, высокотемпературный режим, топологические параметры, скорость деградации, уровень легирования
Короткий адрес: https://sciup.org/140255850
IDR: 140255850
Список литературы Оценка скорости изменения параметров биполярного СВЧ-транзистора, работающего в высокотемпературном режиме
- Пожела Ю.К. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с.
- Hansen O. Diffusion in a short base // Solid-State Electronics. 1994. V. 37. № 9. P. 1663-1669.
- Pulfrey D.L., St. Denis A.R., Vaidyanatham M. Compact modeling of high-frequency smoll-dimention bipolar transistor // IEEE COMMAD98. 1998. P. 1-5.
- Александров О.В. Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1289-1298.
- Velichko O.I., Aksenov V.V., Kovaleva A.P. Modeling of the interstitial diffusion in crystalline silicon // Journal of Engineering Physics and Thermophysics. 2012. V. 85. № 4. P. 926-932.
- Гуртов В.А. Твердотельная электроника. М.: Мир, 2005, 492 с.
- Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с.
