Определение параметров уровней, участвующих в процессе деградации светодиодов на основе InGaN

Автор: Грушко Наталья Сергеевна, Вострецова Любовь Николаевна

Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc

Статья в выпуске: 4-4 т.14, 2012 года.

Бесплатный доступ

В работе исследуются изменение вольт-амперных характеристик светодиодов синего свечения с модулированным и однородным легированием на основе GaN и его твердых растворов при длительной наработке и под воздействием -облучения (0,1 – 0,5 Мрад). Установлен различный механизм изменения электрических свойств исследуемых структур в зависимости от вида легирования. Определены параметры уровня, участвующего в создании туннельного потока.

Cветодиоды, деградация, рекомбинация, туннелирование, яркость

Короткий адрес: https://sciup.org/148201333

IDR: 148201333

Список литературы Определение параметров уровней, участвующих в процессе деградации светодиодов на основе InGaN

Полищук А., Туркин А. Светодиодные светильники -эффективный метод решения проблемы энергосбережения//Энергосбережение. 2008. № 2. С. 8
Гужов С., Полищук А. Концепция применения светильников со светодиодами совместно с традиционными источниками света//СТА. 2008. №1, С. 14 -18
Туркин А., Аверин Е. Применение мощных светодиодов в освещении//Энерго Style. 2009. №1. С. 10 -19.
Грушко Н.С., Хайрулина А.С. Параметры белых светодиодов InGaN/AlGaN/GaN: светоотдача, КПД, координаты цветности//Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды Х международной конференции. Ульяновск, 2008. С. 252.
Гридин В.Н., Рыжиков И.В., Виноградов В.С., Щербаков В.Н. Полупроводниковая лампа -источник освещения, альтернативный лампам накаливания и электролюминесцентным лампам//Компьютерная оптика. 2008. Т. 32. № 4. С. 375 -383.
Ефремов А.А., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Лавринович Д.А., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Шретер Ю.Г. Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов//ФТП. 2006. Т. 40. Вып 5. С. 621 -627.
Бочкарева Н.И., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В,Шретер Ю.Г. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов//ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 1. С. 122 -127.
Полищук А., Туркин А. Деградация полупроводниковых светодиодов на основе нитрида галлия и его твердых растворов//Компьютеры и технологии. 2008. №2. С. 25 -28.
Low-Frequency Noise in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Irradiated by g-Ray Quanta/Vitusevich S.A., Klein N., Petrychuk M.V., Belyaev A.E., Danylyuk S.V., Konakova R.V., Avksentyev A.Yu., Danilchenko B.A., Tilak V., Smart J., Vertiatchikh A., and Eastman L.F.//Investiphys. Stat. Sol. (c) 0. No. 1. 78-81 (2002).
Ren High dose Co-60 gamma irradiation of InGaN quantum well light-emitting diodes/Rohit Khanna, Sang Youn Han, and S. J. Pearton, D. Schoenfeld, W. V. Schoenfeld, F.//Applied Physics Letters, 87, 212107 _2005
Берман Л.С. Ёмкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. 104 с.
Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1985. 264 с.
Каретникова И.Р., Нефедов Н.М., Шашкин В.И. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольт-фарадных измерений в процессе электрохимического травления//ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 801 -807.
Грушко Н.С., Лакалин А.В., Евстигнеева Е.А. Исследование вольт-амперных характеристик и спектров электролюминесценции светодиодов с квантовой ямой, изготовленных на основе GaN//Известия вузов. Электроника. 2002. №3. С. 48 -56.
Грушко Н.С., Лакалин А.В., Евстигнеева Е.А. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных на основе GaN с квантовой ямой//Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия Физическая. 2001. Вып. 2(11). С. 34 -39.
Булярский С.В., Ионычев В.К. Кузьмин В.В. Туннельная рекомбинация в кремниевых лавинных диодах//ФТП. 1997. Т. 37. Вып. 1. С. 117 -120.
Грушко Н.С., Логинова Е.А., Потанахина Л.Н. Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах//ФТП, 2006. Т. 40. Вып. 5. С. 584 -588.
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э.//ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 2. С. 224-231.
Чернов И.П., Тимошников Ю.А., Мамонтов А.П., Коротченко В.А., Лапскер И.А., Семухин Б.С. Изменения структуры сплава ВК при воздействии малых доз g-излучения//Атомная энергия. Июль 1984. Т. 57. Вып. 1. С. 58-59.
Чернов И.П., Мамонтов А.П., Ботаки А.А., Черданцев П.А., Чахлов Б.В., Шаров С.Р.//Атомная энергия. июль 1984. Т. 57. Вып. 1. С. 56-58.

Еще

Статья научная