Основные принципы проектирования переключающих СВЧ-устройств с полупроводниковыми элементами
Автор: Неганов В.А., Петров И.А.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 3 т.18, 2015 года.
Бесплатный доступ
В статье рассматриваются принципы проектирования многоканальных СВЧ-переключателей с полупроводниковыми элементами. Анализируются достоинства и недостатки различных схем переключателей. Показано, что применение шлейфных структур с короткозамкнутыми и разомкнутыми шлейфами, позволяет расширять диапазон рабочих частот, увеличивать уровни переключаемой мощности, уменьшать ослабление в открытых и увеличивать ослабление в закрытых каналах, уменьшать габариты.
Шлейфные структуры, переключатели, полупроводниковые элементы
Короткий адрес: https://sciup.org/140255933
IDR: 140255933
The cardinal principles of the designing multi canales microwave switches with semiconductor element are considered
The Cardinal principles of the designing multi canales microwave switches with semiconductor element are considered in this article. Value and defect of the different schemes of the switches are given analysis. Using Shunting Structures with short-circuit and open-circuit stub, allows to increase the range a worker frequencies, enlarge the level to power, reduce the weakening in opened and enlarge the weakening in closed channel, reduce the size.
Список литературы Основные принципы проектирования переключающих СВЧ-устройств с полупроводниковыми элементами
- Armistead M.A., Spencer E.G., Hatcher R.D. Microwave semi-conductor switch // Proc. IRE. 1956. Vol. 44. P. 1875.
- Carver R.V. Theory of TEM diode switching // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1961. Vol. MTT-9. № 3. P. 224-238.
- Ficher R.F. Brodband Microwave Diode switches // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1965. Vol. MTT-13. № 5. P. 706-709.
- White J.E., Mortenson K.E. Diode SRDT switch at high power with octave microwave bandwidt // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1968. Vol. MTT-16. № 1.
- СВЧ-устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет / под ред. И.В. Мальского, Б.В. Сестрорецкого. М.: Сов. радио, 1969.
- Полупроводниковые диоды для управления СВЧ-мощностью / Л.С. Либерман [и др.] // Радиотехника. 1972. Т. 27. № 5.
- Воробьевский Е.М. Многоканальный переключатель. Авторское свидетельство, № 451150, Н01р 1/10. Заявлено 06.04.1972. Опубликовано 25.11.1975, бюллетень № 43.
- Петров И.А. Многоканальный переключатель. Авторское свидетельство № 881902 H01P 1/15. Приоритет от 06.09.1976. Опубликовано 15.11.1981, бюллетень № 42.
- Чижов А.И., Орлов О.С. Расчет и анализ характеристик широкополосных дискретных фазовращателей // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1983. Вып. 5. С. 13-16.
- Выключатели СВЧ на полевых транзисторах с затвором Шоттки / О.С. Орлов [и др.] // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 3. С. 50-54.
- Петров И.А. Многоканальные СВЧ-переключатели с полупроводниковыми элементами на основе широкополосных согласующих структур // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2011. Т. 14. № 4. С. 60-66.
- Неганов В.А., Петров И.А. Проектирование шлейфных структур СВЧ на основе теоремы о каскадном включении реактивных симметричных четырехполюсников // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2014. Т. 17. № 3. С. 71-75.
- Петров И.А. Частотные свойства реактивных симметричных четырехполюсников на основе шлейфных структур / Электронный журнал «Журнал радиоэлектроники». М.: ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. 2014, № 1. 21 c. URL: http://jre.cplire.ru/jre/contents.html
