Особенности получения пленок MnxSiy на кремнии твердофазной реакцией
Автор: Якубов Комилжон Рузметович, Латипова Муборак Аманбаевна, Кадиров Алибек Хамраевич
Журнал: Бюллетень науки и практики @bulletennauki
Рубрика: Технические науки
Статья в выпуске: 4 т.7, 2021 года.
Бесплатный доступ
В последнее время при разработке новых приборных структур используются структуры с различными металлами на кремнии. Многочисленными исследованиями показано, что в результате твердофазных реакции Mn и Si можно создавать гетерофазные системы из различных силицидов марганца. Такие пленки обладают уникальным набором термоэлектрических свойств. В настоящее время получение пленки, обеспечивающей максимальную термоэлектрическую надежность пока еще не доступно. В связи с этим возникает необходимость детального исследования структуры и совершенства пленки силицид марганца - кремний, полученной на кремниевой подложке. В работе приводится исследование твердофазной реакции в диффузионной системе Mn-Si и процесса формирования фаз силицида марганца на кремниевой подложке.
Кремний, силицид, силицид марганца, электропроводность, поликристаллическая пленка, спектр поглощения, спектроскопия, электрофизические свойства, фотоэлектрические свойства, гетероструктура, фаза, твердофазная реакция
Короткий адрес: https://sciup.org/14120943
IDR: 14120943 | DOI: 10.33619/2414-2948/65/28
Список литературы Особенности получения пленок MnxSiy на кремнии твердофазной реакцией
- Родерик Э. Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Мир, 1984. 208 с.
- Стриха В. И., Бузанова Е. В. Физической основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. М.: Радио и связь, 1987. 256 с.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с.
- Адамбаев К., Камилов Т. С. О роли силицидных пленок в формировании фотоэлектрических свойств кремния, легированного марганцем // Всесоюзная конференция по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ташкент, 1989. С. 385.
- Kamilov T. S., Chirva V. P., Kabilov D. K. Photoelectric properties of higher manganese silicide (HMS)-SiMn-M structures // Semiconductor science and technology. 1999. V. 14. №11. P. 1012-1017. https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/11/312
- Адамчук В. К., Любинецкий И. В., Шикин А. М. Особенности взаимодействия кремния с благородными металлами // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. №17. С. 1056-1060.
- Гельд П. В., Сидоренко Ф. А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М.: Металлургия, 1971. 523 с.
- Самсонов Г. В., Дворкина Л. А., Рудь Б. М. Силициды. М.: Металлургия, 1979. 270 с.
- Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1984. 288 с.
- Адамбаев К., Зайцев В. К. Камилов Т. С. Исследование приповерхностной области кремния, диффузионно-лигированного марганцем // Поверхность. 1988. №7. С. 66-70.
- Kamilov T. S., Klechkovskay V. V., Adambaev K. Electron Diffraction Study of Manganese Silicide Films on Silicon // XII Eur. Crystallographic Meet. 1989. V. 1. P. 355.
- Несмишленик В. В., Алешин В. Г. Электронное спектроскопия кристаллов. Киев: Наукова думка, 1976. С. 336.
- Зигбан К., Нордлинг К. Электронная спектроскопия. М.: Мир, 1971. 330 с.
- Карлсон Т. Фотоэлектронная оже-спектроскопия. Л.: Машиностроение, 1981. 565 с.
- Горчанова В. В. Рентгеновские, электронные спектры и химическая связь // Межвузовский сборник Дальневосточного университета. Владивосток, 1986. С. 222-290.
