Особенности разработки широкополосных смесителей частоты с подавлением зеркального канала в диапазоне частот 9-27 ГГц
Автор: Углов Г.А., Белова Ю.В.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 3 т.23, 2020 года.
Бесплатный доступ
Статья посвящена особенностям разработки двух типов широкополосных смесителей частоты с подавлением зеркального канала в диапазоне частот 9-27 ГГц. Цель исследования - определить оптимальные пути решения проблемы моделирования сложных многофункциональных СВЧ-узлов. В статье рассматривается процесс разработки таких функциональных узлов как усилитель гетеродина, малошумящий усилитель и смеситель частоты. Приводятся сравнения расчетных характеристик с результатами измерений изготовленных макетов образцов. Так же уделено внимание технологии изготовления полевых транзисторов, резисторов и конденсаторов находящихся в составе функциональных узлов смесителя частоты. Научная новизна заключается в уникальности разработки изделия, включающего в себя на одном кристалле несколько функциональных узлов. В результате созданы два типа смесителей частоты с подавлением зеркального канала в корпусном исполнении, которые по своим характеристикам могут заменить аналогичные зарубежные изделия фирмы Analog Devices.
Широкополосный смеситель частот, монолитная интегральная схема, smd-корпус
Короткий адрес: https://sciup.org/140256136
IDR: 140256136 | DOI: 10.18469/1810-3189.2020.23.3.68-73
Список литературы Особенности разработки широкополосных смесителей частоты с подавлением зеркального канала в диапазоне частот 9-27 ГГц
- Твердотельные устройства СВЧ в технике связи / Л.Г. Гассанов [и др.]. М.: Радио и связь, 1988. 288 с.
- Gassanov L.G. et al. Solid-State Microwave Devices in Communication Engineering. Moscow: Radio i svjaz', 1988, 288 p. (In Russ.)
- Дюков Д.И., Чеченин Ю.И., Крицкий Н.С. Разработка преобразователей частоты в монолитном исполнении на основе базовой технологии создания GaAs монолитных интегральных схем с диодами Шоттки вертикальной конструкции // Материалы XVIII Координационный научно-технического семинара по СВЧ-технике. Нижегородская обл., п. Хахалы, 2013. С. 52.
- Djukov D.I., Chechenin Ju.I., Kritskij N.S. Development of monolithic frequency converters based on the basic technology for creating GaAs monolithic integrated circuits with vertical Schottky diodes. Materialy XVIII Koordinatsionnyj nauchno-tehnicheskogo seminara po SVCh-tehnike. Nizhegorodskaja obl., p. Hahaly, 2013, p. 52. (In Russ.)
- МИС двойного балансного смесителя для К-, КА- диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции / А.Ю. Ющенко [и др.] // Материалы Крымской конференции КриМиКо. Украина, Крым, г. Севастополь, 2012. С. 93-94.
- Juschenko A.Ju. et al. MIS of double balanced mixer for K-, KA- frequency ranges based on Schottky diodes of vertical design. Materialy Krymskoj konferentsii KriMiKo. Ukraina, Krym, g. Sevastopol', 2012, pp. 93-94. (In Russ.)
- Сверхширокополосные твердотельные усилители мощности СВЧ-диапазона: Схемотехника, конструкции, технологии. Электроника и микроэлектроника СВЧ / А.А. Кищинский [и др.] // Сборник статей VII Всероссийской конференции. 2018. С. 4-13.
- Kischinskij A.A. et al. Ultra-wideband solid-state microwave power amplifiers: Circuitry, design, technology. Electronics and microelectronics microwave. Sbornik statej VII Vserossijskoj konferentsii, 2018, pp. 4-13. (In Russ.)
