Особенности выращивания тонкопленочных покрытий на основе нитридов

Рассмотрены условия выращивания тонких пленок нитридов (TiN, Si3N4 и AlN) ионно-лучевым методом получения слоев, что предполагает наличие трех этапов: распыление мишени ионами химически активного компонента или его смеси с инертным газом; перенос распыленных частиц на поверхность подложки; формирование тонкой пленки на поверхности подложки. Проведено моделирование первого этапа роста нитридных пленок по теории Зигмунда с использованием математической программы MathCad. Осуществлены расчеты коэффициентов распыления мишеней Ti, Si и Al пучками ионов Ar+ и N2+, а также смесью газов Ar+ и N2+ различного состава в интервале энергий распыляющих ионов от 1 до 10 кэВ. Результаты расчетов позволили предложить оптимальные режимы выращивания покрытий.