Полупроводниковые газовые датчики кислорода на основе поликристаллических плёнок сульфида самария
Автор: Казаков С.А., Каминский Владимир Васильевич, Соловьв С.М., Шаренкова Н.В.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Разработка приборов и систем
Статья в выпуске: 3 т.25, 2015 года.
Бесплатный доступ
Изготовлены датчики кислорода на основе сульфида самария. Разработаны методы нанесения тонких и толстых пленок полупроводникового сульфида самария (SmS) на диэлектрические подложки, а также методики формирования газочувствительных слоев полупроводниковых газовых датчиков кислорода на их основе. Выбрана модель описания процессов хемосорбции кислорода на поверхности такого рода детекторов, а также получены основные характеристики полупроводниковых датчиков кислорода: калибровочная зависимость, статические и динамические параметры преобразователей, постоянная времени отклика сенсоров на концентрационное воздействие (~0.5 с). В работе кратко описаны конструкционные особенности датчиков кислорода, изготовленных на стандартной базе. Показаны преимущества данного вида датчиков по сравнению с аналогами.
Сульфид самария, датчик кислорода, взрывной метод напыления, золь-гель метод
Короткий адрес: https://sciup.org/14264983
IDR: 14264983
Список литературы Полупроводниковые газовые датчики кислорода на основе поликристаллических плёнок сульфида самария
- Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. М.: Наука, 1991. 327 с.
- Каминский В.В., Соловьев С.М., Голубков А.В., Володин Н.М. Тензорезистор (варианты). Патент РФ № 110472, 10.05.2011.
- Каминский В.В., Голубков А.В., Казанин М.М. и др. Термоэлектрический генератор (варианты) и способ изготовления термоэлектрического генератора. Патент РФ № 2303834, 22.06.2005.
- Каминский В.В., Васильев Л.Н., Горнушкина Е.Д. и др. Влияние γ-облучения на электрические параметры тонких пленок SmS//ФТП. 1995. Т. 29, № 2. С. 306-308.
- Васильев Л.Н, Каминский В.В., Соловьев С.М., Шаренкова Н.В. Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленок SmS//ФТП. 2000. Т. 34, № 9. С. 1066-1068.
- Каминский В.В., Казаков С.А. Полупроводниковый датчик кислорода. Патент РФ № 2546849, 05.07.2013.
- Шаренкова Н.В. Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария. Авторефер. дис. … канд. физ.-мат. наук. СПб., 2009. 19 с.
- Васильев Л.Н., Каминский В.В., Курапов Ю.М. и др. Электропроводность тонких пленок SmS//ФТТ. 1996. Т. 38, № 3. С. 779-785.
- Каминский В.В., Казаков С.А., Романова М.В. и др. Модель барьерной проводимости в поликристаллах сульфида самария//ФТТ. 2015. Т. 57, № 2. С. 264-266.
- Румянцева М.Н., Макеева Е.А., Гаськов А.М. Влияние микроструктуры полупроводниковых сенсорных материалов на хемосорбцию кислорода на их поверхности//Рос. хим. ж. 2008. Т. LII, № 2. С. 122-129.
- Epifani M., Forleo A., Capone S. et al. Hall effect measurements in gas sensors based on nanosized Os-doped sol-gel derived SnO2 thin films//Sensors Journal. 2003. Vol. 3, no. 6. P. 827-834 DOI: 10.1109/JSEN.2003.820322
