Пористые структуры на основе карбида кремния для фотоэлектрических преобразователей
Автор: Голубева Д.Ю., Курганская Л.В., Танеев В.В., Щербак А.В.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 3 т.22, 2019 года.
Бесплатный доступ
Рассмотрен способ получения пористого карбида кремния путем карбидизации пористого кремния. Исследованы морфология поверхности и фазовый состав слоев пористого карбида кремния, получаемого при диффузии углерода из газовой фазы в слой пористого кремния. Получены спектры отражения образцов пористого карбида кремния, пористого кремния. Определены удельное поверхностное сопротивление и время жизни избыточных носителей заряда в пористом карбиде кремния. Показана возможность применения пористых слоев карбида кремния для увеличения эффективности фотоэлектрических преобразователей.
Пористые структуры, пористый карбид кремния, фотоэлектрические преобразователи, спектр отражения
Короткий адрес: https://sciup.org/140256106
IDR: 140256106 | УДК: 621.382
Porous structures based on silicon carbide for photovoltaic cells
A method for producing porous silicon carbide by carbonization of porous silicon is considered. The surface morphology and phase composition of porous silicon carbide layers obtained by diffusion of carbon from the gas phase into the porous silicon layer are investigated. Diffusion and absolute reflection spectra of porous silicon carbide and porous silicon samples are obtained. A study of the specific surface resistance and lifetime of excess charge carriers in porous silicon carbide was carried out. Using of porous silicon carbide in photovoltaic cells to increase their efficiency is shown.
Список литературы Пористые структуры на основе карбида кремния для фотоэлектрических преобразователей
- Зимин С.П. Пористый кремний - материал с новыми свойствами // Соросовский образовательный журнал. 2004. Т. 8. № 1. C. 101-107.
- Zimin S.P. Poristyj kremnij - material s novymi svojstvami [Porous silicon material with new properties]. Sorosovskij obrazovatel'nyj zhurnal [Soros Educational Journal], 2004, vol. 8, no. 1, pp. 101-107 [in Russian].
- Кашкаров П.К. Необычные свойства пористого кремния // Соросовский образовательный журнал. 2001. Т. 7. № 1. C. 102-107.
- Kashkarov P.K. Neobychnye svojstva poristogo kremnija [The unusual properties of the porous silicon]. Sorosovskij obrazovatel'nyj zhurnal [Soros Educational Journal], 2001, vol. 7, no. 1, pp. 102-107 [in Russian].
- Panes P., Lipinski M., Czternastek H. Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells // Optoelectronics review. 2000. № 8(1). P. 57-59.
- Panes P., Lipinski M., Czternastek H. Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells. Optoelectronics review, 2000, no. 8 (1), pp. 57-59 [in English].
- Dubey R.S., Lipinski M., Czternastek H. Synthesis and characterization of nanocrystalline porous silicon layer for solar cells applications // Journal of Optoelectronic and Biomedical Materials. 2009. Vol. 1. № 1. P. 8-14.
- Dubey R.S., Lipinski M., Czternastek H. Synthesis and characterization of nanocrystalline porous silicon layer for solar cells applications. Journal of Optoelectronic and Biomedical Materials, 2009, vol. 1, no. 1, pp. 8-14 [in English].
- Трегулов В.В. Пористый кремний: технология, свойства, применение: моног. Рязань: Рязанский государственный университет имени C.А. Есенина, 2011. 124 с.
- Tregulov V.V. Poristyj kremnij: tehnologija, svojstva, primenenie [Porous silicon: technology, properties and application]. Rjazan': Rjazanskij gosudarstvennyj universitet imeni C.A. Esenina, 2011, 124 p. [in Russian].
- Карбид кремния: технология, свойства, применение / О.А. Агеев [и др.]; под общ. ред. А.Е. Беляева и Р.В. Конаковой. Харьков: ИСМА, 2010. 532 с.
- Ageev O.A. [et al.] Karbid kremnija: tehnologija, svojstva, primenenie [Silicon carbide: Technology, Properties, Applications]. Har'kov: ISMA, 2010, 532 p. [in Russian].
- Кремниевые фотопреобразователи для космической и авиационной отрасли / Г.П. Яровой [и др.] // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2012. Т. 14. № 1 (2). С. 521-524.
- Jarovoj G.P. [et al.] Kremnievye fotopreobrazovateli dlja kosmicheskoj i aviatsionnoj otrasli [Silicon photovoltaics for space and aviation industry]. Izvestija Samarskogo nauchnogo tsentra Rossijskoj akademii nauk [Proceedings of the Samara Scientific Center of the Russian Academy of Sciences], 2012, vol. 14, no. 1 (2), pp. 521-524 [in Russian].
- Бабков Р.Ю. Перспективы применения карбида кремния в микро-электронике // Известия Южного федерального университета. Серия "Технические науки". 1998. № 3(9). С. 89.
- Babkov R.Ju. Perspektivy primenenija karbida kremnija v mikro-elektronike [Prospects for use of silicon carbide in the micro-electronics]. Izvestija Juzhnogo federal'nogo universiteta. Serija "Tehnicheskie nauki" [Southern Federal University. A series of "Engineering"], 1998, no. 3 (9), pp. 89 [in Russian].
- Проблемы создания высокотемпературных полупроводниковых приборов на карбиде кремния / И.В. Силаев [и др.] // International Journal of Experimental Education. 2014. № 5. С. 62.
- Silaev I.V. [et al.] Problemy sozdanija vysokotemperaturnyh poluprovod-nikovyh priborov na karbide kremnija [The problem of creating high-semi-nicks devices on silicon carbide]. International Journal of Experimental Education, 2014, no. 5, pp. None [in Russian].
- Латухина Н.В., Чепурнов В.И., Писаренко Г.А. Новые перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния // Электроника: наука, технология, бизнес. 2013. № 4 (00126). С. 104-110.
- Latuhina N.V., Chepurnov V.I., Pisarenko G.A. Novye perspektivy staryh materialov: kremnij i karbid kremnija [New perspectives of old materials: silicon and silicon carbide]. Elektronika: nauka, tehnologija, biznes [Electronics: Science, Technology, Business], 2013, no. 4 (00126), pp. 104-110 [in Russian].
- Чепурнов В.И. Патент № 2370851. Способ самоорганизующейся эндотаксии моно 3C-SiC на Si подложке. Дата начала отчета срока действия патента: 2005.12.15, дата подачи заявки: 2005.12.15, опубликовано: 2009.10.20.
- Chepurnov V.I. Patent № 2370851. Sposob samoorganizujuschejsja endotaksii mono 3C-SiC na Si podlozhke [Method endotaksii self-assembled mono 3C-SiC on Si substrate]. Data nachala otcheta sroka dejstvija patenta: 2005.12.15, data podachi zajavki: 2005.12.15, opublikovano: 2009.10.20 [in Russian].
- Четырехзондовый метод измерения электрического сопротивления полупроводниковых материалов: уч.-метод. пособ. / Н.А. Поклонский [и др.]. Минск: Белгосуниверситет, 1998. 46 с.
- Poklonskij N.A. [et al.] Chetyrehzondovyj metod izmerenija elektricheskogo soprotivlenija poluprovodnikovyh materialov: uch.-metod. posob [Four-probe method to measure electrical resistance of semiconductor materials]. Minsk: Belgosuniversitet, 1998, 46 p. [in Russian].
