Проектирование металлической индуктивной диафрагмы
Автор: Кужахметов А.Н., Быстров А.Е., Титаренко Ю.В.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Химия и материаловедение
Статья в выпуске: 4 (70), 2021 года.
Бесплатный доступ
В предлагаемой статье рассматривается металлическая индуктивная диафрагма расположенная в прямоугольном волноводе. На основе метода ортогонализирующей подстановки получены формулы для расчета коэффициента отражения и коэффициента стоячей волны (КСВ). В среде Matcad был рассчитан КСВ в зависимости от размеров диафрагмы. Проведены экспериментальные измерения КСВ на панорамном измерителе Р2-61. Было проведено моделирование индуктивной диафрагмы в среде Microwave Studio.
Металлическая индуктивная диафрагма, адмитанс, коэффициент отражения, ксв, ортогонализирующая подстановка
Короткий адрес: https://sciup.org/140276070
IDR: 140276070 | УДК: 535.645.646
Design of metallic inductive diaphragm
The proposed article discusses the metal inductive diaphragm located in a rectangular waveguide. Based on the orthogonalizing substitution method, formulas were obtained to calculate the reflection coefficient and the standing wave coefficient (CWS). In the MATCAD environment, the CWF was calculated depending on the dimensions of the diaphragm. Experimental measurements of the KSV on the panoramic meter P2-61 were carried out. Inductive diaphragm was simulated in the Microwave Studio environment.
Текст научной статьи Проектирование металлической индуктивной диафрагмы
-
1 Расчет параметров индуктивной диафрагмы
-
1.1 Вывод формулы для коэффициента отражения
-
Металлические диафрагмы широко используются для создания волноводных фильтров, ответвителей, резонаторов и аттенюаторов.
Диафрагма представляет из себя поперечную перегородку в волноводе, устанавливаемую перпендикулярно силовым линиям электрического поля или вдоль них и создающая соответственно емкостную или индуктивную проводимость для ослабления волн определённого типа.
Для решения задачи дифракции основной волны прямоугольного волновода на диафрагмах, расположенных на стыке двух диэлектриков с различными диэлектрическими проницаемостями применяется метод частичного обращения оператора. Аналитическое решение полученных интегральных уравнений в первом приближении даёт возможность получить простые формулы для коэффициентов отражения и прохождения через емкостную диафрагму как основной волны, так и возникающих вследствие дифракции высших типов волн.
Нужно отметить практическую значимость полученных в статье результатов, так как при использовании диафрагм (емкостной, индуктивной) в качестве крепёжных элементов, например для p-i-n диодов и других активных приборов, необходимо знать, какую часть энергии неоднородность отразит, а какую пропустит. Возможно также использовать полученные аналитические выражения в системах автоматизированного проектирования устройств СВЧ и КВЧ диапазонов.
Рассмотрим дифракцию основной волны единичной амплитуды на емкостной диафрагме, сечение которой в плоскости неоднородности показано на рисунке 1.1а. На рис. 1.1б показано сечение в направлении переноса электромагнитной энергии. Щель в волноводе имеет ширину
A w = w2
— w 1 , координату центра щели обозначим y0 =
Wj + w2
Рис. 1.1 - Емкостная диафрагма в прямоугольном волноводе
Будем считать, что падающая волна, распространяющаяся в линии передачи с идеально проводящими и бесконечно тонкими стенками, набегает из точки с координатой z = —^ , и волновод согласован при z = +^ .
Поле падающей волны возбуждает в первой среде ( z < 0 ) отраженные типы собственных волн, а во второй ( z > 0 ) проходящие волны основного и
высших типов. Поэтому электрическое поле в линии передачи, её поперечные составляющие, можно представить в виде гармоник /2, 10/.
Пусть падает волна H 10 ( n =1, m =0):
где
E y
-1) (1'z *h(I)z <1)z
e 0 z + Re 0 z + ^ Rnern z n=1
E y
Te -^’z + £ t/-” n=1
z
cos
cos
h(0 =, k^s*"'^”
^-
К
^ nny ^
V b )_
^ nny ^
V b )_
2n nv
• (roc sin — ,
V a )
. ( nx ) sin —
V a )
,
(i)
n
nn
11 ь)
^-
ky i ^ i
i = 1,2 ;
, to ko =- c
- волновое число в вакууме.
При больших n можно считать
Г
nn
~
b
На основе уравнений Максвелла [1,2,3] можно записать:
|
d H z |
д H y |
= ik s Ex , |
д Ez |
д E y |
= ik P H x , |
|
д у |
д z |
д y |
д z |
||
|
д Hx |
д H z |
= iks:Ey, |
д Ex |
д Ez |
= ik ^ Hy , |
|
д z |
д x |
д z |
д x |
||
|
д H y д z |
_ дH z b y |
= ik s Ez , |
д E y д z |
_ дE z b y |
= ik p Hz. |
Откуда можно получить (1.1), используя приближение п Т дx2 ( a )
д H x = h () F
(1.1)
дz ify(l) y
Используя
формулу(1.1),
можно
записать
выражение
для
составляющей магнитного поля:
H(x ) =
h 0 ( 1 ) 2
i kp? 1 )
-< ) ( e
,- ih o 1 ) z
—
to
Re h z ) + £ n = 1
R ( 1 )
n-en z
cos
пп y
(1.2)
n
Hx (2)
(2) 2
T
i ku2'
^-
i0
- ih '2^ e 0
^
-z n=1
T
n
n
r'2)z ( плу )
e n cos I ——
ь ) •
Запишем граничные условия (ГУ) при z = 0 , у е [ wPw2 ] ,
Е(У = E(2) = E(y),
Откуда получим:
w2
1 + R = T = -1 Е(у' )dy'
w1
,
(1.3)
w2
Ru = Тп =^( Е(У' )cos w1
f £) dy -.
Выражения (1.3) получили, предполагая, что ( 1 + R) суть свободный
член, а Rn - остальные коэффициенты разложения Фурье.
Используем ГУ для Н^ , определённые системой (1.2), Н(1) = Н(2) при z = 0 , у g [ wpw2 ] , получим:
h 0 ( 1 )
ц 1 )
(1 - R) -
( 1 ) 0
h 0 ( 2 )
ц 2 )
Ц ih 0 ( 2 ) ц 2ь
у1 R
£ ""Fc)cos п=1 Г п
п п у
V Tn ( ппу
X W 2 ) cos I , п = 1 1 п V b
(1.4)
.
Учитывая, что T = 1 + R , перенося T из правой части в левую в уравнении (1.4) и перегруппировав члены уравнения, можно записать:
h ( 1 ) ( 2 ) ^ч
-Уу ( 1 - R) - -Уу ( 1 + R) = i £ ц ц п = 1
( hr
V ц
+
( h>
V ц
^“
h> J
ц 7
h 0 ( 1 ) 2 h 0 ( 2 ) 2
ц ( 1 Г ) ц ( 2 )Г(г
^
= - i X п=1
h0 (1)2
ЦПрО)
+
Введя дополнительные обозначения, а именно:
ho =
(1) (2)
Ц 1 Ц 2
;
Ап =
Ah o
(1) (2)
00 ---. ц 1 ц2 2 ;
R n cos
Ц2)г;(2
п п у
Rn cos
(1.5)
пуу b
2 h 0
n
n
представим (1.5) в более компактной форме или
2(Rh„ - Ah) ho (1 + R)
2(Rh - Ah J h 0
= — 4 i T A nRn co S
nny
w 2 x w 2
J E(y' )dy ' = -8^ J Е(У' A w1 n=1 W1
cos
f nny )
I cos
I b )
| b)
dy ’.
-
1.2 Метод ортогонализирующей подстановки
Введём следующие обозначения переменных [2,3]:
п п
Ф =—, ^ = —, bb и представим:
а ( 1 + А ) n A
A n = — , где 5 n = - - 1.
n а nn
Так как Г„--при n ^ x, то можно записать: nb lim 8 A = lim 8'
2 h 0
а
, n
(1.7)
где
4 b h( ) h ( 2^2
n h ^ 1 ) ^ 2 )
Введём нормированную реактивную проводимость B в сечении волновода при z = 0 по формуле:
2 (Rh 0 - A h 0 ) h o ( 1 + R)
(1.8)
Учитывая предыдущие обозначения и формулы (1.7) и (1.8), уравнение (1.6) можно записать в виде
В\Е(ф)dф = ]Г\Е(ф.)■ cos(n®)cos(nф)( 1 + 5-)1ф , (1.9)
а n = 1 n
nw, nw7
.
где ф и 0 изменяются в пределах от -д- до —
Полученное соотношение (1.9) есть не что иное, как интегральное уравнение. По методу Швингера решение таких уравнений основано на введении новых переменных и и v , которые изменяются от 0 до п . Для данного частного случая [2,4]
cos(0) = c + scos(u) ; СО8(ф) = С + SCOs(v), (1.10)
где c = cos
( лу^
v b
)
cos
(A )
V 2b )
;
s = sin
( пу^ v b
)
sin
V
( nAw
2b
)
Далее воспользуемся соотношением
cos(n 0 )cos(n ф ) _ 1^ yi cos(nu)cos(nv)
n 2 n=1
Тогда уравнение (1.9) запишется в виде:
- j E(V)d^dv = a Jodv
-1 ins + ^ cos(nu)cos(nv) + у 5 cos(nu)cos(nv) 2 n=1 n n=1
= j Е( Ф )Т dv
(1.11)
dv.
1.3 Квазистатическое приближение
Рассмотрим первое приближение
5 п = 0, n > 0 .
Приравнивая коэффициенты при cos(nu) , уравнение (1.11) распадается
|
на два: |
B 1 — = - ins a 2 |
|
и |
J Е( ф ) <^cos(nv)dv = 0,n > 0 . (1.12) 0 dv |
Равенство (1.12) выполняется только тогда, когда
E( v )d P = C o , dv
где C = const .
С помощью математических преобразований из (1.10) находим v
, cos( ф ) - c. dv sin( m )
v = arccos(----) ^ — = s dm J14 c- cos(ф) Y
\ V s J
Тогда Е( ф ) записывается в следующем виде:
Е(ф) =
Cossin( ф )
s2 - (c — cos( ф ))2
(1.13)
Для определения Co из (1.13) воспользуемся выражением (1.3), из которого следует, что:
С = 1 + R .
Рассмотрим частный случай, когда волновод полый (наиболее часто используется на практике)
/ 1 ) = / 2 ) = 1,
^ 1 ) = А ( 2 ) = 1,
а =
п 0 1
h
(1) 0
0 —
( П )
V a J
h = 2 h0 ( 1 ) = 2 k02
4 b а = — h 0 ,
П так как
12 b
(1.14)
B = -а • —lns =-- h0^ns .
2 п
Учитывая, что длина волны в волноводе:
A =
2 п
h (1)0
2 п
равенство (1.14) можно записать в виде:
B = - —1ns .
A
Но учитывая равенство (1.8) и то, что для воздушного волновода
A h0 = 0 , получаем:
R = - ^B-, 2 + iB а используя равенство (1.3)
T = 2
2 + iB
.
В общем случае, когда диафрагма находится на стыке двух
диэлектриков с разными значениями диэлектрических и магнитных проницаемостей, исходя из того, что а( 1 + 5п) и\ 1
A n , ° n 1 ’
n
а
и обозначая
(1)2
2 h0
H ^ 1
(2)2
^2),
коэффициенты отражения и прохождения находятся так:
inAh0 - bH2lns
R =---------------2------ ,
inh0 + bHolns
т = in(h0 + Ah0) inh0 + bH2 Ins '
Коэффициент стоячей волны находится по формуле:
К = l+Rсд 1 -|R|.
-
1.4 Расчёт параметров в первом приближении
Расчет по выведенным выше формулам проводился в системе MathCad.
Составляющие электрического поля в зависимости от φ , рассчитанного по формуле (1.13) при частоте 10 ГГц, показаны на рис. 1.2-1.4.
На рис. 1.2 показана действительная составляющая электрического поля.
Рис.1.2 –Действительная составляющая электрического поля Е φ
На рис. 1.3 показана мнимая составляющая электрического поля.
Рис. 1.3–Мнимая составляющая электрического поля Еφ
На рис. 1.4 показан модуль электрического поля.
Рис. 1.4 – Модуль электрического поля
Зависимость удельной проводимости B от толщины зазора Δ w показана на рис. 1.5.
Рис.1.5 – Зависимость В от Δ w
Графики зависимости коэффициента отражения R от ширины зазора w показаны на рис. 1.6-1.8.
На рис. 1.6 показана действительная составляющая коэффициента отражения.
Рис. 1.6 – Зависимость действительной составляющей коэффициента отражения R от ширины зазора Δw
На рис. 1.7 показана мнимая составляющая коэффициента отражения.
Рис. 1.7 – Зависимость мнимой составляющей коэффициента отражения R от ширины зазора Δw
На рис. 1.8 показан модуль коэффициента отражения.
Рис. 1.8 – Модуль коэффициента отражения R от ширины зазора Δw
Коэффициент стоячей волны находится по формуле:
КСВ =
(1 +1 Д р
(1 -1 Д р'
График зависимости КСВ от ширины зазора показан на рис. 1.9.
Рис. 1.9 – График зависимости КСВ от ширины зазора Δw (мм)
График зависимости КСВ от частоты показан на рис. 1.10 при J w = —.
Рис. 1.10 - Зависимость КСВ от частоты (ГГц) при J w = —
-
1.5 Экспериментальные исследования
Коэффициент стоячей волны в зависимости от ширины зазора и частоты измеряется на панорамном измерителе Р2-61 по схеме, представленной на рис.1.11, в котором введены следующие обозначения:
-
- генератор качающейся частоты (1);
-
- индикатор (2);
-
- измеряемое устройство (емкостная диаграмма) (3).
Рис.1.11 – Схема экспериментальной установки
В табл. 1.1 и 1.2 внесены результаты экспериментов.
Табл.1.1
|
Ширина зазора w |
0.6 мм |
1.3 мм |
2.5 мм |
5 мм |
7.5 мм |
10 мм |
|
КСВ |
11.2 |
4.3 |
2.5 |
1.4 |
1.15 |
1.01 |
|
Табл. 1.2 |
||||||
|
Частота f , ГГц |
8 |
8.5 |
9 |
9.5 |
10 |
10.5 |
11 |
11.5 |
12 |
|
КСВ |
2 |
2.3 |
2.6 |
2.86 |
3.15 |
3.4 |
3.7 |
3.97 |
4.25 |
По экспериментальным данным построим графики зависимости КСВ от ширины зазора и частоты.
Полученные экспериментальные кривые показаны на рис. 1.12 и 1.13.
На рис. 1.12 показана зависимость КСВ от ширины зазора Δ w .
Рис.1.12 – Зависимость КСВ от ширины зазора Δ w (м)
На рис. 1.13 показана зависимость КСВ от частоты при ширине зазора
b
Δ w =
Рис. 1.13 – Зависимость КСВ от частоты при ширине зазора
b
Δ w =
Ниже приведены сравнительные характеристики расчетных и экспериментальных кривых.
Рис. 1.14 – Зависимость КСВ от ширины зазора: сплошная -
теоретическая кривая; штриховая - экспериментальная
Рис.1.15 – Зависимость КСВ от частоты : сплошная -теоретическая
кривая; штриховая - экспериментальная
Как видно из рис. (1.14)и (1.15) экспериментальные и расчетные характеристики хорошо совпадают.
2 Проектирование емкостной диафрагмы в среде CST Microwave
Studio
Проведем моделирование рассчитанных диафрагм [5], для этого войдем в программу CST Microwave Studio. Смоделированная емкостная диафрагма показана на рис. 2.1.
Рис. 2.1 - Волновод 23×10 мм из серебра с емкостными диафрагмами
Результаты проектирования металлической емкостной диафрагмы в прямоугольном волноводе приведены ниже.
Рис. 2.2 – Зависимость элемента матрицы рассеяния S 11 от частоты для
Рис. 2.3 – Зависимость элемента матрицы рассеяния S21 от частоты для
Рис. 2.4 – Зависимость КСВ от частоты для зазора шириной Δw =2 мм
Рис. 2.5 – Модуль составляющей э/м поля Е по x координате для зазора
Рис. 2.6 – Модуль составляющей э/м поля Н по x координате для зазора
шириной Δw =2 мм
Рис. 2.7 – Зависимость КСВ от частоты для зазора шириной Δw =8 мм
Рис. 2.8 – Модуль составляющей э/м поля Е по x координате для зазора
шириной Δw =8 мм
Рис. 2.9 – Модуль составляющей э/м поля Н по x координате для зазора шириной Δw =8 мм
Результаты , полученные в статье позволяют проектировать волноводные фильтры на диафрагмах и волноводные ответвители.
Список литературы Проектирование металлической индуктивной диафрагмы
- Никольский, В.В. Электродинамика и распространение радиоволн [Текст]: учеб. пособие для вузов / В.В. Никольский, Т.И. Никольская. - М.: Наука, 1989. - 544 с. - (Учебное пособие).
- Неганов, В.А. Элекродинамические методы проектирования устройств СВЧ и антенн [Текст]: учебник для вуза / В.А. Неганов, Е.И. Нефедов, Г.П. Яровой. - М.: Радио и связь, 2002. - 415 с. - (Учебник для вузов).
- Неганов, В.А. Теория и применение устройств СВЧ [Текст]: он учеб. и пособие / В.А. Неганов, Г.П. Яровой. - М.: Радио и связь, 2006. - 719 с. - (Учебное пособие).
- Левин, Л. Теория волноводов [Текст]: учеб. пособие для вузов / Л. Левин; ред. В.И. Вольмана. - М. Радио и связь, 1981. - 312 с. - (Учебное пособие).
- Курушин, А.А. Проектирование СВЧ устройств в среде CST Microwave Studio [Текст]: он учеб. и пособие / А.А. Курушин, А.Н. Пластиков. - М.: Московский энергитический институт, 2010. - 157 с. - (Учебное пособие).