Распределение плотности электронных состояний в микрокристаллическом гидрированном кремнии
Автор: Нальгиева М.А., Аушева Х.А.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 4 (58), 2020 года.
Бесплатный доступ
Используя способ фотомодуляционной спектроскопии изучено как распределены плотности электронных состояний в запрещенной зоне в образцах микрокристаллического гидрогенезированного кремния с разной степенью легированого бором. Показано как распределены плотности электронных состояний в верхней и нижней части запрещенной зоны µc-Si:H. Полученные результаты выявили то, что: хвост плотности состояний возле валентной зоны наиболее ровный при сопоставлении с хвостом плотности состояний возле зоны проводимости.
Микрокристаллический гидрированный кремний, плотность электронных состояний, температурная зависимость фотопроводимости
Короткий адрес: https://sciup.org/140275353
IDR: 140275353
Список литературы Распределение плотности электронных состояний в микрокристаллическом гидрированном кремнии
- J. Meier, P. Torres, R. Platz, S. Dubail, U. Kroll, J.A.A. Selvan, N.P. Voucher, ch. Hof, D. Fisher, H. Keppner, A. Shah, K.D. Ufert, P. Giannoules, J. Koehler. Mater. Residence Soc. Symp Proc., 420, 3 (1996).
- R. Bruggemann, J. P. Claider, C. Longio, F. House. Materials for information technology in the new millennium, ed. J.M. Marshall et al. (Bookcraft, Bath, UK, 2001) p. 212.
- W. Bronner, J.P. Kleider, R. Bruggemann, M. Mehring. Thin Salt. Films, 427, 51 (2003).
- T. Unold, R. Bruggemann, J.P. Kleider, C. Longeaud. J. Non-Cryst. Sol., 266-269, 325 (2000). [5] I. Balberg, J. Dover, R. Naides, J. P. Conde, V. Chu. Phys. Rev. B, 69, 035203 (2004). [6] J. Kock. J. Non-Cryst. Sol., 90, 91 (1987).
