Распределение температуры в трехслойной полупроводниковой структуре при воздействии на нее локально распределенной поверхностной тепловой нагрузки

Приведена математическая модель температурных полей, об разующихся в трехслойных полупроводниковых структурах прямоугольной формы, при воздействии на внешний слой кристалла локально распределенной поверхностной тепловой нагрузки, которая возникает в результате неустойчивости однородного распределения тока и приводит к пробою полупроводниковой структуры. Проведена оценка возможностей аналитического решения поставленной задачи. Найден алгоритм численного решения и представлены результаты расчетов и их сравнение с результатами эксперимента.