Разработка способа изготовления непланарных подложек для фотопреобразователей нового поколения
Автор: Кондратенко Тимофей Тимофеевич, Максимов Павел Валерьевич
Журнал: НБИ технологии @nbi-technologies
Рубрика: Технические инновации
Статья в выпуске: 6, 2012 года.
Бесплатный доступ
Исследовали строение внешней боковой поверхности монокристаллов кремния после травления в газовой атмосфере H2+ 2 % об. HCl при высокой температуре. Установлено, что в результате травления на боковой поверхности кремниевых монокристаллических цилиндрических подложек, выращенных в направлении , формируется периодический рельеф, состоящий из ступеней глубиной 0,1-5,0 мкм, длиной до 50 мкм.
Кремний, кристалл, подложка, фотопреобразователь, травление, пол проводник
Короткий адрес: https://sciup.org/14968232
IDR: 14968232
Список литературы Разработка способа изготовления непланарных подложек для фотопреобразователей нового поколения
- Зи, С. Физика полупроводниковых приборов/С. Зи. -М.: Наука, 1982. -456 с.
- Карпухин, В. В. Теоретические основы технологии полупроводников/В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. -М.: Высш. шк., 1996. -495 с.
- Bublik, V. T. Single-Cristal X-Ray Diffraction Analysis of Nonplanar Autoepitaxial Silicon Layers/V. T. Bublik, L. V. Kozhitov and T. T. Kondratenko//Inorganic Materials. -2009. -Vol. 45, № 14. -P. 1610-1613.
Статья научная
