Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее
Автор: Лундин Всеволод Владимирович, Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Устинов В.М.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Работы с конференции
Статья в выпуске: 1 т.27, 2017 года.
Бесплатный доступ
Представлен анализ ситуации, сложившейся на рынке оборудования для МОС-гидридной эпитаксии соединений на основе нитрида галлия, и видение проблем и открывающихся возможностей. Даны практические результаты работы по реализации подхода авторов к созданию МОС-гидридного оборудования.
Нитриды iii группы, мос-гидридная эпитаксия, технологическое оборудование
Короткий адрес: https://sciup.org/14265058
IDR: 14265058
Список литературы Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее
- Manasevit H.M. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates//Appl. Phys. Lett. 1968. Vol. 12, no. 4. pp. 156 DOI: 10.1063/1.1651934
- Лундин В.В., Давыдов Д.В., Заварин E.E., Попов М.Г., Сахаров А.В., Яковлев Е.В., Базаревский Д.С., Талалаев Р.А., Цацульников А.Ф., Мизеров М.Н., Устинов В.М. МОС-гидридная эпитаксия III-N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса//ПЖТФ. 2015. Т. 41, № 5. С. 9-17.
- Великовский Л.Э., Сим П.Е., Поливанова Ю.Н., Шишкин Д.А., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф. Разработка мощных GaN транзисторов L-S-C диапазона//Труды 10-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия -структуры и приборы", С.-Петербург, 23-25 марта 2015. С. 131.
- Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е. и др. Рост HEMT гетероструктур AlGaN/GaN на подложках SiC отчественного производства//Труды 10-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия -структуры и приборы", С.-Петербург, 23-25 марта 2015. С. 129.
- Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Яговкина М.А., Сахаров А.В., Усов С.О., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Булашевич К.А., Карпов С.Ю., Устинов В.М. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе//ФТП. 2016. Т. 50, № 10. С. 1401-1407.
- Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F. Study of GaN doping with carbon from propane in a wide range of MOVPE conditions//Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 449. P. 108-113 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.06.002
- Лундин В.В., Заварин Е.Е., Попов М.Г., Трошков С.И., Сахаров А.В., Смирнова И.П., Кулагина М.М., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Цацульников А.Ф. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений//ПЖТФ. 2015. Т. 41, № 20. С. 74-81.
- Lundin W.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Davydov V.Yu., Smirnov A.N., Zakheim D.A., Markov L.K., Brunkov P.N., Yagovkina M.A., Lundina E.Yu., Tsatsulnikov A.F. Growth of III-N graphene heterostructures in single OVPE MOVPE epitaxial process//Proc. of IC MOVPE XVIII, San Diego, California, July 10-15, 2016.
Статья
