Спинодальный распад в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур AlxG1-xAs/ GaAs (100) и GaxIn1-xP/ GaAs (100)
Автор: Середин П.В.
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Физика и электроника
Статья в выпуске: 3-1 т.11, 2009 года.
Бесплатный доступ
Методами рентгеновской дифракции, электронной и атомно-силовой микроскопии и ИК-спектроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs(100) и GaxIn1-xP/GaAs(100) в области составов x~0.50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора AlxGa1-xAs и GaxIn1-xP, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре.
Эпитаксиальные гетероструктуры, сверхструктурые фазы, упорядочение
Короткий адрес: https://sciup.org/148198624
IDR: 148198624
Список литературы Спинодальный распад в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур AlxG1-xAs/ GaAs (100) и GaxIn1-xP/ GaAs (100)
- X. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах. Т. 1.//М.:Мир.,1981. 299с.
- Л.В.Келдыш//ФТТ 4, 2265 (1962)
- Д. Бом. Квантовая теория//М.: Наука,1965. -732 с.
- Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, Н.А. Румянцева, П.В. Середин и др. Cостав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах gainp/gaxin1-xasyp1-y/ gainp/gaas(001) // ФТП 42, 9, 2008.
- Э.П. Домашевская, П.В. Середин и др.ЗАКОН ВЕГАРДА И СВЕРХСТРУКТУРНАЯ ФАЗА В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ ALXGA1-XAS/GAAS(100) // ФТП, 2005,3, с. 354-360,
- E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin и др.//Surface and Interface Analysis. -2006.V.8, I. 4, -P. 828 -832.
- D Zhou and B.F. Usher.//J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001) 1461-1465.
- Goldberg Yu A. Handbook Series on Semiconductor Parameters, Vol. 2//Levinshtein M., Rumyantsev S. and Shur M., (eds).World Scientific: London, 1999; pp. 1-36.
- T.S. Kuan. Long-Range Order in AlxGa1-xAs//Phys. Rev. Lett. -1985. -V.54, P.201.
- B.D. Pattreson. Spontaneous Ordering in AlGaAs//PSI annual report 1997. www.physik.unizh.ch/reports/report1999.html
- E. Muller and B. Patterson (PSI).//PSI annual report 2000. www.physik.unizh.ch/reports/report2000.html
- Alex Zunger. Spontaneous Atomic Ordering in Semiconductor Alloys: Causes, Carriers, and Consequences//MRS-IRS bulletin/July 1997. http://www.sst.nrel.gov/images/mrs97
- В. Пирсон. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов. Части 1-2.//М.: Мир, 1977г, перевод.
- Домашевская Э. П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Инфракрасные спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур alxga1-xas/gaas (100) с фазой упорядочения algaas2 // ФТП. -2006. -Т.40, вып.4. -С. 411-418.
- Сато. Х. Применение метода эпитаксиальных пленок для изучения электронной структуры некоторых сплавов//Монокристаллические пленки [под. Ред. З.Г. Пинскера].-М.: Мир, 1966. -C. 371-390
