Структурные особенности твердого раствора (GaAs1-dBid)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y
Автор: Бобоев А.Й., Одилов Ш.И., Уринбоев Ж.А., Турсунов Ш.У., Марифжонов К.Х., Солиев А.А.
Журнал: Экономика и социум @ekonomika-socium
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 6-1 (85), 2021 года.
Бесплатный доступ
Методом жидкофазной эпитаксии синтезирована многокомпонентная пленка (GaAs1-dBid)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y, которая является монокристаллической с ориентацией (111) и имеет сфалеритную структуру с параметром кристаллической решетки af = 5.656 Å.
Монокристалл, подложка, пленка, решетка, ориентация, рентгенограмма, микроискажение
Короткий адрес: https://sciup.org/140259556
IDR: 140259556
Список литературы Структурные особенности твердого раствора (GaAs1-dBid)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y
- А.Н. Ефанов, В.П. Кладько. Металлофизика и новейшие технологии 28(5), 619 (2006).
- Р.Н. Кютт, М.П. Щеглов, М.П. Давыдов, А.С. Уськов, ФТТ 46(2), 363 (2004).
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, ФТП 44(8), 1140 (2010).
- S.Z. Zaynabidinov et al. Growth, Semiconductors 50, Issue 1, 59-65 (2016).
- А.И. Блесман, В.В. Даньшина, Д.А. Полонянкин. Теоретические основы методов исследования наноматериалов (Омск, изд. ОмГТУ, 2017).
- И.Л. Шулпина, Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, И.А. Прохоров, И.Ж. Безбах, М.П. Щеглов, Журнал технической физики 80, Вып. 4, 105-114 (2010).
Статья научная
