Субструктура плёнок p-SiC, синтезированных на поверхности скола моно-Si в вакууме и на воздухе
Автор: Солдатенко С.А., Текутьева В.О.
Журнал: Вестник Бурятского государственного университета. Химия. Физика @vestnik-bsu-chemistry-physics
Статья в выпуске: 3, 2024 года.
Бесплатный доступ
Методами ПЭМ, ДБЭ, АСМ, РЭМ и ЭОС исследованы структурнофазовые превращения при карбидизации поверхности (111) Si, созданной расколом в процессе конденсации углерода (ювенильная поверхность), и поверхности, полученной предварительно расколом на воздухе в диапазоне температур от 1073 до 1173 K. Выявлен эффект ювенильной поверхности в процессе ее карбидизации при температурах 1123 и 1173 K, проявляющейся в том, что в этом случае формируется сплошная тектурированная пленка P-SiC с низким значением шероховатости. В случае неювенильной поверхности карбидная фаза образуется локально в местах пробоя естественного оксида.
Карбид кремния, ювенильная поверхность, структура, субструктура, морфология, тонкие пленки
Короткий адрес: https://sciup.org/148330197
IDR: 148330197 | DOI: 10.18101/2306-2363-2024-3-11-19
Список литературы Субструктура плёнок p-SiC, синтезированных на поверхности скола моно-Si в вакууме и на воздухе
- Дубневский А. Электроника на карбиде кремния: мощнее, быстрее, надежнее. Электротехнический рынок. 2021. № 4–5(100–101). С. 14–17. Текст: непосредственный.
- Кукушкин С. А., Осипов А. В., Феоктистов Н. А. Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния // Физика твердого тела. 2014. № 56(8). С. 1457–1485. Текст: непосредственный.
- Via F. La, Severino A., Anzalone R. et al. From thin film to bulk 3C-SiC growth: Understanding the mechanism of defects reduction. Materials Science in Semiconductor Processing. 2018; 78: 57–68.
- Severino A., D’Arrigo G., Bongiorno C. et al. Thin crystalline 3C-SiC layer growth through carbonization of differently oriented Si substrates. Journal of Applied Physics. 2007; 102: 023518-1–023518-10.
- Severino A. 3C-SiC epitaxial growth on large area silicon: Thin films. Silicon Carbide Epitaxy. Research Signpost. 2012: 145–191.
- Ferro G. C-SiC Heteroepitaxial Growth on Silicon: The Quest for Holy Grail. Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2015; 40(1): 56–76.
- Massoubre D., Wang L., Chai J. et al. Single-crystalline 3C-SiC thin-film on large Si substrate for photonic applications. Nanotechnology: MEMS, Fluidics, Bio Systems, Medical, Computational & Photonics. 2014; 2: 416–419.
- Wijesundara M. B. J. and Azevedo R. Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments. Springer, 2011, XVI. 232 p.
- Mishra N., Hold L., Iacopi A. et al. Controlling the surface roughness of epitaxial SiC on silicon. Journal of Applied Physics. 2014; 115: 203501-1–203501-8.
- Miyoshi K., Buckley D. H. Surface chemistry and friction behavior of the silicon carbide (0001) surface at temperatures to 1500 deg C. NASA Technical Paper-1813. 1981: 1–10.
- Beisenov R., Ebrahim R., Zommorodian A. et al. AES Studies of Heteroepitaxial SiC Films Deposited on Si and on Sapphire Substrates by MOCVD. Eurasian Chemico-Technological Journal. 2013; 15: 259–263.
