Температурная зависимость характеристик полупроводников
Автор: Ражапов И.Т.
Журнал: Экономика и социум @ekonomika-socium
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 5-2 (72), 2020 года.
Бесплатный доступ
Исследована коэффициент температурной зависимости изменение запрещённой зоны полупроводника. Использован метод разложения плотности поверхностных состояний по дельта-функциям. Вычислено коэффициент β допустимой погрешностью.
Запрещённой зоны, температурная зависимость, дельта-функция, плотность поверхностных состояний
Короткий адрес: https://sciup.org/140252233
IDR: 140252233
Список литературы Температурная зависимость характеристик полупроводников
- N.Yu. Sharibayev, J.I. Mirzayev. Temperature Dependence of the Density of States and the Change in the Band Gap in Semiconductors. International Journal of Engineering and Advanced Technology (IJEAT),ISSN: 2249 - 8958, Volume-9, Issue-2, pp 1012-1017,2019
- Н.Ю. Шарибаев, М.И. Мирзаев., Изменение ширины запрещенной зоны в ускозонных полупроводниках, Научный вестник НамГУ, №4 2019 ст 22-27.
Статья научная
