Температурная зависимость энергетических щелей в ускозонных полупроводниках
Автор: Шарибаев Н.Ю., Мирзаев Ж., Шарибаев Э.Ю.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 12 (42), 2018 года.
Бесплатный доступ
В основном ширина запрещенной зоны полупроводника с повышением температуры сужается, но встречаются материалы, на пример PbS, PbTe и другие холкогениды свинца , где ширина запрещенной зоны с повышением температуры расширяются. В настоящей работе с помощью математической модели, температурной зависимости спектра плотности состояний, исследовано изменения ширины запрещенной зоны полупроводника. Объяснено возможность расширение ширина запрещенной зоны с повышением температуры.
Ускозонный полупроводник, плотность состояний, энергетические щели, легирование, запрещенная зона полупроводника, управления энергетическими зонами
Короткий адрес: https://sciup.org/140272741
IDR: 140272741
Список литературы Температурная зависимость энергетических щелей в ускозонных полупроводниках
- Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в кристаллических веществах. Москва: изд 2 в 2-х томах. Мир.1982. -664 с.
- Бонч-Бруевич Л., Звиягин И.П., Кайпер Р., Миронов Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. Москва.1981. Наука. 384 с.
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Москва. 1977.Наука. - 672 с.
- Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела, полупроводник-диэлектрик, в МДП-структуре // ФТП - Санкт Петербург, 2011, - Т.45. №2. - С. 178-182.
- Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю. Определение дискретного спектра ППС МОП Al-SiO2-Si, облученное нейтронами. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследовани. 2012 г, № 9 с. 13-17.
- Gulyamov G., Sharibayev N., Erkaboyev U. The Temperature Dependence of the Density of States in Semiconductors. World Journal of Condensed Matter Physics 2013, №3, p.216-220
