Тензочувствительность структур с барьером Шоттки изготовленных на основе кремния с примесями никеля в зависимости от сопротивления его базовой области
Автор: Хамидов Р.Х.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Физика и астрономия
Статья в выпуске: 12 (114), 2024 года.
Бесплатный доступ
В работе исследовано тензосвойства структур с барьером Шоттки при воздействии импульсного гидростатического давления. Показано, что характер зависимости относительного изменения прямого тока при постоянной значении воздействие гидростатического давления от электрического напряжения связано с наличием компенсирующих примесей в объеме базового материала исследуемых структур с барьером Шоттки. Экспериментально показано, что из-за высокого удельного сопротивления (~102 и 103 Ом∙см) базового материала исследуемых структур приложенное электрическое напряжения распределяется между потенциальном барьером и базового материала.
Глубокие уровни, кремний, примеси никеля, гидростатическое давления, структуры с барьером шоттки
Короткий адрес: https://sciup.org/140308903
IDR: 140308903 | DOI: 10.5281/zenodo.14636617
Список литературы Тензочувствительность структур с барьером Шоттки изготовленных на основе кремния с примесями никеля в зависимости от сопротивления его базовой области
- Li, F., Shen, T., Wang, C. et al. Recent Advances in Strain-Induced Piezoelectric and Piezoresistive Effect-Engineered 2D Semiconductors for Adaptive Electronics and Optoelectronics. Nano-Micro Lett. 12, 106 (2020). DOI: 10.1007/s40820-020-00439-9 EDN: SAPGOA
- Старосельский, В. И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебное пособие для вузов / В. И. Старосельский. - Москва: Издательство Юрайт, 2019. - 463 с. EDN: FQZHKA
- Р.Х. Хамидов, О.О. Маматкаримов. Тензоэлектрические эффекты в поверхностно барьерных структурах изготовленных на основе компенсированного кремния n-Si. // Вестник КГУ им. Бердаха. 2023, № 2, С.53-57.
