Тестовые испытания полупроводниковых тензорезисторов на основе тонких пленок SmS
Автор: Степанов Николай Николаевич, Каминский В.В., Молодых А.А.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Разное
Статья в выпуске: 1 т.23, 2013 года.
Бесплатный доступ
В работе предложен способ определения коэффициента K тензочувствительности тензодатчиков на основе поликристаллических пленок моносульфида самария (SmS) без потери ими эксплуатационных свойств. Выведено соотношение между коэффициентом тензочувствительности K и барическим коэффициентом сопротивления В в условиях гидростатического сжатия (режим барорезистора). Показано, что соотношение между K и В определяется только упругими константами поликристаллического тензочувствительного слоя SmS и подложки, на которую он нанесен.
Тензодатчик, тензорезистор, барорезистор, моносульфид самария, коэффициент тензочувствительности, барический коэффициент сопротивления, тонкие пленки
Короткий адрес: https://sciup.org/14264838
IDR: 14264838
