Усилитель мощности и малошумящий усилитель КА-диапазона для приёмoпередающего модуля
Автор: Дунаева М. А., Дмин Д. А., Чернокалов А. Г., Филатов И. В.
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Информатика и управление
Статья в выпуске: 4 (52) т.13, 2021 года.
Бесплатный доступ
Представлены малошумящий усилитель и усилитель мощности Ка-диапазона. Усилители разработаны на основе технологии GaAs pHEMT с длиной затвора 0,15 мкм. Площадь усилителя мощности составила 6 мм2, а периметр 10 мм. Максимальный измеренный коэффициент усиления в диапазоне от 28 до 38 ГГц составил 15 дБ. Площадь малошумящего усилителя 0,25 мм2, периметр 2 мм. Максимальный коэффициент усиления малошумящего усилителя 17 дБ, по результатам моделирования коэффициент шума в полосе от 30 до 38 ГГц составил не более 2.4 дБ.
Малошумящий усилитель, усилитель мощности, мшу
Короткий адрес: https://sciup.org/142231499
IDR: 142231499 | DOI: 10.53815/20726759_2021_13_4_6
Список литературы Усилитель мощности и малошумящий усилитель КА-диапазона для приёмoпередающего модуля
- Colomb F. [et al.}. 2 and 4 watt Ka-Band GaAs PHEMT power amplifier MMICs // IEEE Int. Microwave Symp. Dig. 2003. P. 843-846.
- Campbell С. [et al.}. Design and Performance of a High Efficiency Ka Band Power Amplifier MMIC // Compound Semiconductor Integrated Circuits Symp., CSICS. IEEE. 2010. P. 1-4.
- Campbell C. [et al.}. High Efficiency Ka-band Power Amplifier MMICs Fabricated with a 0.15um GaN on SiC 11 KMT process 11 IEEE Int. Microwave Symp. Dig. 2012.
- Boutros K.S. [et al.}. 5W GaN MMIC for Millimeter-Wave Applications // Compound Semiconductor IC Symp. Dig. 2006. P. 93-95.
- Micovic M. [et al.}. GaN MMIC Technology for Microwave and Millimeter-wave Applications // Compound Semiconductor IC Symp. Dig. 2005. P. 173-176.
- Campbell C. [et al.}. High Efficiency Ka-Band Gallium Nitride Power Amplifier MMICs // IEEE International Coriference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems. 2013.
- Salah D. [et al.}. I High Power and High Efficiency Ka Band Power Amplifier // IEEE MTT-S International Microwave Symposium. 2015.
- Nai-Chung Kuo [et al.}. DC/RF Hysteresis in Microwave pHEMT Amplifier Induced by Gate Current^Diagnosis and Elimination // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2011. P. 2919-2930.
- Somerville M.H. [et al.}. A new gate current extraction technique for measurement of on-state breakdown voltage in HEMT's // IEEE Electron Device Lett. 1998. V. 19, N 1. P. 405-407.
- Somerville M.H. [et al.}. On-state breakdown in power HEMT's: Measurements and modeling // IEEE Trans. Electron Devices. 1999. V. 46, N 6. P. 1087-1093.
- Meneghesso G. [et al.}. Trapped charge modulation: A new cause of instability in AlGaAs/In-GaAs pseudomorphic HEMT's 11 IEEE Electron Device Lett. 1996. V. 17, N 7. P. 232-234.
- Borgarino M. [et al.}. Hot electron degradation of the DC and RF characteristic of AlGaAs/In-GaAs / GaAs PHEMT's 11 IEEE Trans. Electron Devices. 1998. V. 45, N 2. P. 366-372.
- Menozzi R. [et al.}. Breakdown walkout in psedomorphic HEMT's // IEEE Trans. Electron Devices. 1996. V. 43, N 4. P. 543-546.
- Chiu H.-C. [et al.}. On-state and off-state breakdown voltages in GaAs PHEMTs with various field-plate and gate-recess extension structures // IEEE Electron Device Lett. 2010. V. 31, N 3. P. 186-188.
- Gaquiere C. [et al.}. Correlation between gate current and RF power performances of millimeter HEMT's. 11 Proc. Eur. Microw. Integr. Circuit Conf. 1996. P. 33-36.
- Constantin N. [et al.}. Comprehensive experimental investigation of gate current limitation effects on powsr GaAs FETs RF performances // IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig. 1995. P. 717-720.
- Constantin N. [et al.}. GaAs FET's gate current behavior and its effects on RF performance and realiabilitv in SSPA's // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1999. V. 42 P. 2918-2925.
- Chou Y.-C. [et al.}. The effect of RF-driven gate current on DC/RF performance in GaAs pHEMT MMIC power amplifiers 11 IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2005. V. 53. P. 33983405.
