Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии «Катунь-100»
Автор: В.В. Блинов, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, Д.Н. Придачин, Д.О. Пчеляков, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, В.П. Титов
Журнал: Космические аппараты и технологии.
Рубрика: Космическое приборостроение
Статья в выпуске: 3, 2018 года.
Бесплатный доступ
Одной из наиболее перспективных в полупроводниковой электронике технологий является молекулярно-лучевая эпитаксия, которая представляет собой последовательное осаждение на полупроводниковую подложку слоев атомной толщины различных материалов из молекулярных пучков в условиях сверхвысокого вакуума (давление остаточных газов менее 10–8 Па). В ходе этого процесса (in situ) проводится диагностика молекулярных пучков и формируемых наногетероструктур. Создание высокоэффективных приборов микро-, нано- и фотоэлектроники на основе полупроводниковых наногетероструктур, состоящих из соединений III-V, выращенных на дешевых и прочных Si подложках, является одной из приоритетных задач современного полупроводникового материаловедения. Решение этой проблемы крайне важно и для развития высокоэффективной фотовольтаики. Современные высокоэффективные солнечные элементы представляют собой сложные многослойные гетеросистемы с КПД до 45 % при концентрации солнечного излучения в несколько сотен солнц. Они состоят из трех основных p-n переходов, выполненных из Ge, InGaAs, InGaP и соединенных последовательно туннельными диодами. В настоящей статье представлена автоматизированная компактная установка молекулярно-лучевой эпитаксии нового поколения для эпитаксии плёнок и наноструктур на основе Si, Ge и (или) соединений типа А3В5, разработанная в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН.
Молекулярно-лучевая эпитаксия, полупроводниковые наногетероструктуры, солнечные элементы, сверхвысокий вакуум, космическое материаловедение
Короткий адрес: https://sciup.org/14114740
IDR: 14114740 | DOI: 10.26732/2618-7957-2018-3-170-174
Список литературы Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии «Катунь-100»
- Новое оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии [Электронный ресурс]. URL: http://lib.isp.nsc.ru/16/Renew/pgs/Laboratory/K-100.html (дата обращения: 22.08.2018).
- Валиев К. А., Орликовский А. А. Технологии СБИС: основные тенденции развития / Электроника: Наука, технология, бизнес. 1996. № 5–6. С. 3–11.
- Hueser J. E., Brock F. J. Theoretical analysis of the density within an orbiting molecular shield // J. Vac. Sci. Technol., 1976, vol. 13, no. 3, pp. 702–710.
- Melfi L. T., Outlaw R. A., Hueser J. E, Brock F. J. Molecular shield: An orbiting low-density materials laboratory // J. Vac. Sci. Thechnol., 1976, vol. 13, no. 3, p. 698.
- Ignatiev A. The Wake Shield Facility and Space-Based Thin Film Science and Technology // Earth Space Review, 1995, no. 4, p. 10.
- News Briefs // Compound semiconductors, 1997, no. 1, p. 11.
- Neu G., Teisserire M., Freundlich A., Horton C., Ignatiev A. // Appl. Phys. Lett., 1999, vol. 74, no. 22, pp. 3341–3343.
- Бержатый В. И., Зворыкин Л. Л., Иванов А. И., Пчеляков О. П., Соколов Л. В. Перспективы реализации вакуумных технологий в условиях орбитального полета // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтральные исследования, 2001, № 9, С. 63–73.
- Ignatiev A., Freundlich A., Pchelyakov O., Nikiforov A., Sokolov L., Pridachin D., Blinov V. Molecular Beam Epitaxy in the Ultravacuum of Space: Present and Near Future // From Research to Mass Production, 2018, pp. 741–749. doi: 10.1016/B978-0-12-812136-8.00035-9
- Pchelyakov O. P., Dvurechensky A. V., Latyshev A. V., Aseev A. L. Ge/Si heterostructures with coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics // Semiconductor Science and Technology, 2011, vol. 26, no. 1, pp. 14–27. doi: 10.1088/0268-1242/26/1/014027
