Установка хлорид-гидридной газофазной эпитаксии для выращивания объемных слоев нитрида галлия
Автор: Вороненков Владислав Валерьевич, Бочкарева Н.И., Вирко М.В., Горбунов Р.И., Зубрилов А.С., Коготков В.С., Латышев Ф.Е., Леликов Ю.С., Леонидов А.А., Шретер Ю.Г.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Работы с конференции
Статья в выпуске: 4 т.28, 2018 года.
Бесплатный доступ
Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия - перспективный метод для промышленного производства подложек нитрида галлия. Однако HVPE-реакторов для выращивания объемных слоев GaN и AlN на рынке нет. Нами разработан HVPE-реактор для массового производства объемных эпитаксиальных слоев нитридов галлия и алюминия.
Реактор, подложки, iii-нитриды
Короткий адрес: https://sciup.org/142217032
IDR: 142217032 | DOI: 10.18358/np-28-4-i2022
Список литературы Установка хлорид-гидридной газофазной эпитаксии для выращивания объемных слоев нитрида галлия
- Miyoshi T., Masui S., Okada T. et al. 510-515 nm InGaN-based green laser diodes on C-plane GaN substrate//Applied Physics Express. 2009. Vol. 2, no. 6. 062201 DOI: 10.1143/APEX.2.062201
- Cich M.J., Aldaz R.I., Chakraborty A. et al. Bulk GaN based violet light-emitting diodes with high efficiency at very high current density//Applied Physics Letters. 2012. Vol. 101, no. 22. 223509 DOI: 10.1063/1.4769228
- Nie H., Diduck Q., Alvarez B. et al. 1.5-kV and 2.2-mOhm-cm2 Vertical GaN Transistors on Bulk-GaN Substrates//IEEE Electron Device Letters. 2014. Vol. 35, no 9. P. 939-941.
- Fujikura H., Yoshida T., Shibata M., Otoki Y. Recent progress of high-quality GaN substrates by HVPE method//Proceedings of "Gallium Nitride Materials and Devices XII". International Society for Optics and Photonics. 2017. Vol. 10104. 1010403 DOI: 10.1117/12.2257202
- Mori Y., Imade M., Maruyama M, Yoshimura M Growth of GaN crystals by Na flux method//ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2013. Vol. 2, no. 8. P. N3068-N3071 DOI: 0.1149/2.015308jss
- Kucharski R., Zając M., Doradziński R. et al. Non-polar and semi-polar ammonothermal GaN substrates//Semiconductor Science and Technology. 2012. Vol. 27, no. 2. 024007 DOI: 10.1088/0268-1242/27/2/024007
- Bockowski M., Iwinska M., Amilusik M. et al. Challenges and future perspectives in HVPE-GaN growth on ammonothermal GaN seeds//Semiconductor Science and Technology. 2016. Vol. 31, no. 9. 093002 DOI: 10.1088/0268-1242/31/9/093002
Статья научная
