Варикапы на основе многослойных эпитаксиальных GaAs-структур для ВЧ-аппаратуры

Автор: Суменков А.Н., Сурайкин А.И.

Статья в выпуске: 18 т.4, 2016 года.

Бесплатный доступ

Представлены результаты разработки и исследования полупроводниковых мезаэпитаксиальных GaAs-варикапов для широкого применения в высокочастотной аппаратуре. Приводятся общие технические требования к GaAs-варикапам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов мезаэпитаксиальных GaAs-варикапов.

Арсенид галлия, варикап, добротность, ёмкость, коэффициент перекрытия по ёмкости, мезаэпитаксиальная структура

Короткий адрес: https://sciup.org/147250620

IDR: 147250620

Список литературы Варикапы на основе многослойных эпитаксиальных GaAs-структур для ВЧ-аппаратуры

Сурайкин А. И. Быстродействующие высоковольтные GaAs-диоды для преобразовательной техники и импульсных устройств // Электроника и электрооборудование транспорта. - 2015. - № 2. - С. 35-37. EDN: TSOMZL
Сурайкин А. И., Федотов Е. Н. Быстродействующие высоковольтные GAAS диоды для силовой электроники [Электронный ресурс] // Огарев-online. - 2014. - № 22. - Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/bystrodejjstvuyushhie-vysokovoltnye-gaas-diody-dlya-silovojj-ehlektroniki. EDN: SNJRTD
Арсенид галлия. Получение, свойства, применение / Под ред. Ф. П. Кесаманлы, Д. Н. Наследова. - М.: Наука, 1973. - 472 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. / Пер. с англ. - 2-е перераб. и доп. изд. - М.: Мир, 1984. - 456 с.
Уотсон Г. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Г. Уотсона. - М.: Мир, 1972. - 662 с.

Статья научная