Влияние магнитного поля на свойства поверхностных поляритонов на границе «полупроводник-диэлектрик»
Автор: Санников Дмитрий Германович, Семенцов Дмитрий Игоревич, Филатов Леонид Дмитриевич
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Физика и электроника
Статья в выпуске: 4-4 т.14, 2012 года.
Бесплатный доступ
Рассмотрены условия существования поверхностных ТМ волн на границе намагниченного полупроводника и немагнитного диэлектрика с тензорной и скалярной диэлектрическими проницаемостями. Для двух случаев – линейного полупроводника и полупроводника с керровской нелинейностью – получены компоненты волнового поля, дисперсионное соотношение, частотно-полевые и энергетические характеристики в системе полупроводник-диэлектрик. Показано, что влияние внешнего магнитного поля на указанные характеристики приводит к проявлению невзаимных свойств поверхностного поляритона.
Поверхностные волны, граница раздела полупроводник-диэлектрик, керровская нелинейность, магнитное поле
Короткий адрес: https://sciup.org/148201317
IDR: 148201317
Список литературы Влияние магнитного поля на свойства поверхностных поляритонов на границе «полупроводник-диэлектрик»
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М., Наука, 1982. Гл.10. С. 425.
- Поверхностные поляритоны/Под ред. В.М. Аграновича, Д.Л. Миллса. М., Наука, 1982. Гл.1. C.9.
- Martin B.G., Broerman J.G.//Phys. Rev., B 24, 2018 (1981).
- Семенов А.А., Карманенко С.Ф., Мелков А.А., Сурис Р.А. и др.//ЖТФ, 71(10), 13 (2001).
- Беспятых Ю.И., Бугаев А.С., Дикштейн И.Е.//ФТТ, 43(11), 2043 (2001).
- Вашковский А.В., Локк Э.Г.//Радиотехн. и электрон., 47(1), 97 (2002).
- Жирнов С.В., Семенцов Д.И.//ФТТ, 49(5), 773 (2007).
- Sannikov D.G., Sementsov D.I., Zhirnov S.V., 152-153, 369 (2009).
- Fedyanin D.Yu., Arsenin A.V.//Optics Express, 19 (13), 12524 (2011).
- Maradudin A. A., Wallis R. F.//Journal of Raman Spectroscopy, 10(1), 85 (1981).
- Дмитрук Н.Л., Литовченко В.Г., В.Л. Стрижевский. Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках. Киев, Наукова думка, 1989. Гл.1. С.9.
- Булгаков А.А., Москаленко В.В.//ФТП, 30(1), 31 (1996).
- Басс Ф.Г., Булгаков А.А., А.П.Тетервов. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. М., Наука, 1989. Гл.3. C.53.
- Сейсян. Р.П., Кособукин В.А., Маркосов М.С.//ФТП, 40(11), 1321 (2006).
- Каганов М.И., Пустыльник Н.Б., Шалаева Т.И.//УФН, 167, 191 (1997).