Влияние примесных атомов родия и иридия на ёмкостные характеристики Si-SiО2 структур
Автор: Бобоев А.Й., Уринбоев Ж.А., Одилов Ш.И., Турсунов Ш.У., Марифжонов К.Х., Солиев А.А.
Журнал: Экономика и социум @ekonomika-socium
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 6-1 (85), 2021 года.
Бесплатный доступ
Обнаружено, что легирование полупроводниковой подложки атомами Rh и Ir ведет к увеличению значений плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2. Определено, что поверхностные состояния, обусловленные наличием примеси Rh и Ir являются эффективными генерационными центрами.
Полупроводник, кремний, кремний-диоксид, подложка, амфотерный примесь, родий, иридий, граница раздела
Короткий адрес: https://sciup.org/140259555
IDR: 140259555
Список литературы Влияние примесных атомов родия и иридия на ёмкостные характеристики Si-SiО2 структур
- Берман Л.С., Лебедев А.А. Ёмкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках Л.: Наука, 1981-176с.
- Власов С.И., Зайнабидинов С.З., Насиров А.А. Влияние ирридияя на тензочуствительность МДП-структур // Известия АН УзССР-1988, №2, С.58-60.
- Власов С.И., Насиров А.А., Зайнабидинов С.З., Парчинский П.Б., Абдуазимов В. Влияние протонного облучения на плотность поверхностных состояний в МДП-структурах с примесью Rh // Узбекский физический журнал-1994, №2, С.З 1-33.
- Новиков И.И., Розин К.М. Кристаллография и дефекты кристаллической решетки М.: Метеллургия, 1990 - 336с.
- Акчурин Р.Х., Андрианов Д.Г., Берман Л.С. и др. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями - под редакцией Фистуля В.И. М.: Металлургия, 1987 - 232 с.
Статья научная
