Влияние режимов роста монокристаллов на перенос и накопление примесных атомов в растущем кристалле

Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0 « aC(0)-bC(l), в котором а иЪ определены через скорости переноса ПА (конвективную - ос, дрейфовую - urfи термодиффузионную - uj соответственно в расплаве - (af Ъ), в кристалле -(а, Ъ), а также на границе раздела фаз - (а. Ъ ). Из условия квазистационарности процесса роста найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков и определен общий коэффициент рас- Cs Cl . Полученное выражение пределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка K для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка - и , градиента температур (через uj и силовых полей (через x>J) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле.