Влияние свободных носителей на диэлектрические свойства кристаллов KNbO3
Автор: Меределина Татьяна Александровна, Барышников Сергей Васильевич
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Физика и электроника
Статья в выпуске: 4-1 т.15, 2013 года.
Бесплатный доступ
Исследованы температурная и частотная зависимости диэлектрической проницаемости и tg проводящих монокристаллов KNbO 3, допированных Sm. Показано, что наличие свободных носителей приводит к значительному росту как действительной, так и мнимой частей диэлектрической проницаемости. Действительная часть диэлектрической проницаемости при охлаждении после прогрева до парафазы существенно меньше, чем при нагреве, в то время как для tg наблюдается обратная зависимость.
Сегнетоэлектрик, фазовый переход, диэлектрическая проницаемость
Короткий адрес: https://sciup.org/148202264
IDR: 148202264
Список литературы Влияние свободных носителей на диэлектрические свойства кристаллов KNbO3
- Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники М.: Наука, 1976. 408 с.
- Барышников, С.В. Особенности диэлектрических аномалии в Pb1-xGexTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода/С.В. Барышников, А.С. Барышников, А.Ф. Баранов, В.В. Маслов//ФТТ. 2008. Т.50, №7. С.1270-1273.
- Yanovskii V.K. Phase Transitions and Properties of Doped KNbO3 Crystals/V.K. Yanovskii//Physica status solidi (a). 1984. Vol. 81, Issue 1. Р. 399-406.
- Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл. Титанат бария М.: Наука, 1974. 295 с.
- Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлекрические кристаллы [пер. на русский под ред. Л.А. Шувалова]. М.: Мир. 1965. 555 с.
- Изменение области существования несоразмерной фазы в сегнетоэлектрическом композите (NaNO2)1-x -(BaTiO3)x/Е.Ю. Королева, Т.А.Трюхан, С.В. Барышников//Научнотехнические ведомости СПБГПУ. Физикоматематические науки. 2012. №2. С. 22-26.
- Виноградов, А.П. Электродинамика композитных материалов. М.: УРСС, 2001. 208 с.
