Влияние упругих напряжений на формирование структурных дефектов в полупроводниках

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы закономерности образования структур- ных дефектов в полупроводниках CdTe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, Si и GaAs. Установлено, что при одних и тех же условиях обработки в полупроводниках группы А2В6 образуются дефекты наибольших размеров и с более высо- кой плотностью по сравнению с Si и GaAs. При этом степень нарушений кристаллической решетки и интен-сивность дефектообразования убывает в следующей последовательности: от ZnS → ZnSe ≈ CdS → CdTe ≈≈ HgTe → ZnTe → GaAs ≈ Si. Экспериментальные результаты объясняются на основе анализа упругих напря-жений, создаваемых в материале в результате образования структурных дефектов.