Восстановление высоты расположения источника в математической модели роста тонких пленок на подложках
Автор: Тарасенко Елена Олеговна, Гладков Андрей Владимирович
Журнал: Инфокоммуникационные технологии @ikt-psuti
Рубрика: Теоретические основы технологий передачи и обработки информации и сигналов
Статья в выпуске: 1 т.13, 2015 года.
Бесплатный доступ
В работе рассмотрены вопросы математического моделирования диффузионного роста тонких пленок на подложках. Особое внимание уделено решению обратных задач, возникающих в рамках исследуемой модели. Представлено аналитическое и численное решение краевой задачи о восстановлении высоты расположения источника атомов пленки, оседающих на подложку. Проведенное исследование имеет большое практическое значение и может быть применено в микроэлектронике, создании сверхбольших интегральных схем.
Тонкая пленка, подложка, диффузия, высота источника, математическое моделирование
Короткий адрес: https://sciup.org/140191744
IDR: 140191744
Список литературы Восстановление высоты расположения источника в математической модели роста тонких пленок на подложках
- Бахвалов Н.С. Численные методы. М.: Наука, 1973. -614 с.
- Галай Е.О. Математическая модель образования пленок на подложках//Обозрение прикладной и промышленной математики. Т.12. Вып. 4, 2005. -С. 932.
- Денисов А.М. Введение в теорию обратных задач. М.: Изд-во МГУ, 1994. -208 с.
- Cайт ООО НПФ «Микротехнология». URL: http://microtechnologia.ru
