Динамическая оперативная память с резервированием транзисторов
Автор: Тюрин С.Ф.
Журнал: Вестник Пермского университета. Серия: Математика. Механика. Информатика @vestnik-psu-mmi
Рубрика: Информатика. Информационные системы
Статья в выпуске: 4 (35), 2016 года.
Бесплатный доступ
Анализируется динамическое оперативное запоминающее устройство - динамическая оперативная память (ДОЗУ, Dynamic RAM - DRAM). По аналогии с шеститранзисторной ячейкой статической оперативной памяти SRAM, в которой резервируются транзисторы, рассматривается DRAM с резервированным транзистором. Оценивается вероятность безотказной работы DRAM с таким резервированием по сравнению с троированием.
Ячейка памяти sram, ячейка памяти dram, транзистор, избыточность, вероятность безотказной работы
Короткий адрес: https://sciup.org/14730082
IDR: 14730082 | DOI: 10.17072/1993-0550-2016-4-58-62
Список литературы Динамическая оперативная память с резервированием транзисторов
- Строгонов А., Цыбин С. Программируемая коммутация ПЛИС: взгляд изнутри. URL: http://www.kite.ru/articles/plis/2010_11_56.p hp (дата обращения: 02.09.2016).
- Donald C. Mayer, Ronald C. Lacoe. Designing Integrated Circuits to Withstand Space Radiation. Vol. 4, № 2. Crosslink. URL: http://www.aero.org/publications/crosslink/su mmer2003/06.html (дата обращения: 20.09.2016).
- Тюрин С.Ф., Морозов А.Н. Отказоустойчивая ячейка памяти с использованием функциональнополных толерантных элементов//Вестник Пермского университета. Математика. Механика. Информатика. 2012. Вып. 4(12). С. 68-75.
- Тюрин С.Ф. Ячейка статической оперативной памяти. Патент РФ № 2573226. Опубл. БИ № 2 20.01.2016.
- Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника: учеб. пособие для вузов. Изд. 3-е, перераб. и доп. СПб.: БХВ-Петербург, 2010. 816 с.
- Угрюмов Е.П. Программируемые компоненты устройств и систем на кристалле: учеб. пособие. СПб: изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013. 120 с.
- Динамическая оперативная память. URL: http://all-ht.ru/inf/pc/mem_dram.html (дата обращения: 20.08.2016).
- Горбатко С. Динамическая оперативная память. URL: http://www.colocat.ru/texts/ram.html (дата обращения: 20.08.2016).
- Ячейка оперативной памяти. Принцип работы. URL: http://sdelaycomputersam.ru/Cell_ram.html (дата обращения: 20.08.2016).
- Петропавловский Ю. Радиационно-стойкие микросхемы компании Atmel//Современная электроника, 2012. № 7. URL: http://www.soel.ru/upload/clouds/1/iblock/6c f/6cf5d14e94f28ab9112553b8229edb3e/2012 0710.pdf (дата обращения: 20.08.2016).
- Шумилин С., Леонов С. Радиационно-стойкие микросхемы от компании "Миландр"//Компоненты и технологии, 2015. № 7. URL: http://ecworld.ru/media/bip/pdfs/shumilin_ct 715.pdf (дата обращения: 20.09.2016).
- Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии. Приказ от 29 ноября 2012 г. № 1843-ст URL: http://www. consultant. ru/cons/cgi/online.cgi? req=doc;base=EXP;n=552389 (дата обращения: 20.09.2016).
- ГОСТ Р 27.002-2009. Надежность в технике. Термины и определения. URL: http://protect.gost.ru/document.aspx?control= 7&id=177217 (дата обращения: 20.08.2016).
- ГОСТ 27.002-89. Надежность в технике. Основные понятия. Термины и определения. URL: http://www.internet-law.ru/gosts/gost/11290/(дата обращения: 20.08.2016).
- Memories-DRAMs. URL: http://www.engr.uky.edu/~elias/lectures/ln_1 8.pdf (дата обращения: 21.09.2016).
- Samsung придумала, как можно уменьшить DRAM до технологических норм 10 нм. URL: http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/9318/doc/74552/(дата обращения: 22.09.2016).
