Исследование и разработка дифференциального антенного СВЧ переключателя по технологии КМОП 180нм
Автор: Калнов А.Д.
Журнал: Международный журнал гуманитарных и естественных наук @intjournal
Рубрика: Технические науки
Статья в выпуске: 11-4 (86), 2023 года.
Бесплатный доступ
В работе представлен мощный переключатель приема и передачи сигнала, выполненный по технологии КМОП (комплементарный металл-оксид-полупроводник) с технологической нормой 0,18 мкм и частотой работы до 2 ГГц. Актуальной и трудоемкой задачей является разработка дифференциального переключателя с минимальными потерями одновременно с максимальной изоляцией. Данные, полученные в результате моделирования в САПР Cadence, показывают, что предлагаемая конструкция мостового дифференциального переключателя обеспечивает линейность сигнала до 18 дБм в диапазон частот 100 МГц - 2 ГГц с потерями не более 2 дБ и максимальный изоляцией не менее 32дБ. Применение дифференциальной мостовой схемы позволяет компенсировать паразитный сигнал.
Переключатель, дифференциальный сигнал, кмоп
Короткий адрес: https://sciup.org/170201451
IDR: 170201451 | DOI: 10.24412/2500-1000-2023-11-4-55-58
Список литературы Исследование и разработка дифференциального антенного СВЧ переключателя по технологии КМОП 180нм
- Huang F.-J., O K.K. Single-pole double-throw CMOS switches for 900-MHz and 2.4-GHz applications on p-silicon substrates // IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 39, № 1, pp. 35-41, Jan. 2004.
- Kim H.-W., Ahn M., Lee O., Lee C.-H., Laskar J. A high power CMOS differential T/R switch using multi-section impedance transformation technique // IEEE Radio Freq.Integr. Circuits (RFIC) Symp. Dig., May 2010, pp. 483-486. EDN: OCVURF
- Losev V.V., Mukhin I.I., Chaplygin Y.A., Kalyonov A.D. Analysis of Methods for Reducing Losses and Increasing Isolation of Differential Microwave Attenuators. In 2022 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus) (pp. 149-152). IEEE.
- Aoki S.D., Kee D.B.Rutledge, Hajimiri A. Distributed active transformer - A new power-combining and impedance-transformation technique // IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 50, no. 1, pp. 316-331, Jan. 2002.
- Wang X.S., Yue C.P. A dual-band SP6T T/R switch in SOI CMOS with 37-dBm P-0.1 dB for GSM/W-CDMA handsets // IEEE Trans. Microw. Theory Techn., Vol. 62, № 4. - Pp. 861-870, Apr. 2014.
