Электрические свойства пленок а-S:H отожженных при высокой температуре
Автор: Нальгиева М.А., Абадиева М. м-С.
Журнал: Мировая наука @science-j
Рубрика: Естественные и технические науки
Статья в выпуске: 4 (37), 2020 года.
Бесплатный доступ
В труде определено то, что вследствие высоко температурного отжига в струе Н2 легированной бором пленке a-Si:H в различие от нелегированной, отслеживается прыжковая проводимость по состояниям в хвосте валентной зоны. Отмеченные различия в не постоянстве электрических свойств обследованных ле гированных и также нелегированных пленок после воздействия высокотемпературного отжига обеспечены возрастанием эффективности легирования и кроме того другим распределением плотности состояний в запрещенной зоне в отожженной пленке.
Аморфный кремний, легирование бором, высокотемпературный отжиг
Короткий адрес: https://sciup.org/140265542
IDR: 140265542
Список литературы Электрические свойства пленок а-S:H отожженных при высокой температуре
- Zvygin I.P., Kuroeva I.A., Nalgiieva M.A., Orimont N.N.// Hopping conductivity of a-Si films doped with boron: H.// FTP, 2006, v.40, no. 1, pp. 112-116.
- Kurova I. A., Nalgieva M. A., Ormont N. N. // Electrical and photoelectric properties of a-Si: H films subjected to high-temperature annealing in hydrogen. // Vestnik MGU, series 3, Physics. Astronomy, 2005, No. 4, pp. 54-57.
- Mashin A. I., Khokhlov A. F. // New allotropic forms of silicon: preparation and properties. // FTP, 1999, c. 33, p. 1434.
- Митра С., Глисон К. К., Цзя Н., Шинар // Влияние отжига на микроструктуру водорода в легированном бором и нелегированном высокочастотном распылении аморфном кремнии// J. Phys. Ред. Б, 1993, т. 48, № 4, с. 2175 - 2182.
