Моделирование переноса носителей в алмазе методом Монте-Карло
Автор: Варфоломеев И.А., Горелкин В.Н., Соловьев В.Р.
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Общая и теоретическая физика
Статья в выпуске: 3 (19) т.5, 2013 года.
Бесплатный доступ
Методом Монте-Карло выполнено численное моделирование эволюции пространственно-энергетического распределения дырок в кристалле алмаза с примесью бора во внешнем электрическом поле при температуре 10 К. В чистом алмазе преобладает поток носителей по полю. В случае наличия примеси бора, на которой идет эффективная рекомбинация низкоэнергетичных дырок, интегральные потоки дырок в направлении и против направления поля выравниваются, и наблюдается дифференциальная отрицательная подвижность носителей, что подтверждает выводы предыдущих работ о возможности эффекта отрицательной подвижности для определенных энергетических групп носителей в алмазе. Кроме того, при неизотропном двунаправленном начальном распределении скоростей дырок наблюдается их интегральная отрицательная подвижность.
Алмаз, дырка, монте-карло, абсолютная отрицательная подвижность, функция распределения
Короткий адрес: https://sciup.org/142185937
IDR: 142185937
Список литературы Моделирование переноса носителей в алмазе методом Монте-Карло
- Рохленко А.В. Абсолютная отрицательная проводимость в релаксирующем слабоионизованном газе//ЖЭТФ. -1978 -Т. 75. -С. 1315.
- Shizgal S., Mahon D.R.A. Electric field dependence of transient electron transport properties in rare-gas moderators//Phys. Rev. A. -1985. -V. 32.
- Warman J.M., Sowada U, De Haas P. Transient negative mobility of hot electrons in gaseous xenon//Phys. Rev. A. -1985 -V. 31. -P. 1974.
- Дятко Н.А., Капителли M., Лонго С., Напартович А.П. Отрицательная подвижность электронов в распадающейся плазме//Физика плазмы. -1998. -Т. 24. -С. 691.
- Дятко Н.А., Кочетов И.В., Напартович А.П. К вопросу об абсолютной отрицательной проводимости низкотемпературной плазмы//Письма в ЖТФ. -1987. -Т. 13. -С. 1457.
- Елесин В.Ф. Явления абсолютной отрицательной проводимости в неравновесных трехмерных полупроводниках//УФН. -2005. -Т. 175. -С. 197.
- Mamedov T.N., Dutov A.G., Herlah D. [et al.]. Investigation of Boron Acceptor Impurity in Synthetic Diamond by the 𝜇-SR-method//JINR Preprint. -2004. -P. 14-2004-104.
- Mamedov T.N.,, Anreika D., Baturin A.S. [et al.]. Behavior of shallow acceptor impurities in uniaxially stressed silicon and in synthetic diamond studied by 𝜇-SR//Physica. B. -2006. -V. 374-375. -P. 390.
- Baturin A.S., Gorelkin V.N., Rastunkov V.S., Soloviev V.R. Absolute negative mobility of charge carriers in diamond and interpretation of mSR experiments//Physica. B. -2006. -V. 374-375. -P. 340.
- Батурин А. С., Горелкин В. Н., Соловьев В.Р., Черноусов И. В. О возможности отрицательной проводимости электронно-дырочной плазмы в алмазе//Физика плазмы. -2008. -Т. 34, № 5. -431-441 с.
- Nagai M., Shimano R., Horiuchi K., Kuwata-Gonokami M. Creation of supercooled exciton gas and transformation to electron-hole droplets in diamond//Phys. Rev. B. -2003. -V. 68. -P. 081202
- Lax M. Cascade capture of electrons in solid//Phys. Rev. -1960. -V. 119. -P. 1502.
- Абакумов В.Н., Яссиевич И.Н. Сечение рекомбинации электрона на положительно заряженном центре в полупроводниках//ЖЭТФ. -1976. -T. 71. -С. 657.
- Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках//Физика и техника полупроводников. -1978. -Т. 12. -С.3.
