Образование и перенос электронных дефектов в твердом электролите RbCu Cl I. 4 3 2

Проанализированы причины значительного отличия электронной проводимости для образцов твердого электролита RbCu Cl I, приготовленных в различных условиях. Выдвинуто предположение, что величина электронной проводимости зависит от количества электронных дефектов, возникающих при окислении RbCu Cl I в процессе его приготовления. Рассмотрены соответствующие квазихимические реакции. Из экспериментов с ячейкой Вагнера было выяснено, что концентрация электронных дефектов в исследованном образце RbCu Cl I составляет 1,25Ч1018 cm-3. Коэффициент диффузии электронных дефектов равен 1,5Ч10-8 cм2Чс-1 при их проводимости 1,2Ч10-7 СмЧcм-1. Расчетная величина потенциала стеклоуглеродного электрода после электрохимического разложения RbCu Cl I (0,606 В) удовлетворительно совпадает с экспериментальной величиной (0,58 В), что свидетельствует об адекватности рассмотренной моде ли возникновения электронных дефектов при приготовлении RbCu Cl I. 4 3 2