Физика твёрдого тела и твердотельная электроника. Рубрика в журнале - Известия Самарского научного центра Российской академии наук
Гальваностатическое исследование электропереноса на контакте RbCuCl I 4 3 2
Статья научная
Исследована кинетика процесса электропереноса, происходящего на стеклоуглеродном электроде в контакте с твердым электролитом RbCu Cl I. В интервале потенциалов от нуля до потенциала 4 3 2 разложения электролита на электроде происходит обратим ая электрохимическая реакцияCu+ e ? Cu2+. Скорость электродной реакции контролируется диффузией Cu2+ ионов в электролите. Коэффициент диффузии Cu2+ ионов равен 1,5?10-8 см2/с. Плотность тока обмена электродной реакции составляет около 20?10-6 А/cм2.
Бесплатно
Когнитивная модель системных преобразований
Статья научная
Автором с гносеологических позиций предлагается стратегическая модель творческой деятельности исследователя (проектировщика) с использованием сист емной интерпретации.
Бесплатно
Образование и перенос электронных дефектов в твердом электролите RbCu Cl I. 4 3 2
Статья научная
Проанализированы причины значительного отличия электронной проводимости для образцов твердого электролита RbCu Cl I, приготовленных в различных условиях. Выдвинуто предположение, что величина электронной проводимости зависит от количества электронных дефектов, возникающих при окислении RbCu Cl I в процессе его приготовления. Рассмотрены соответствующие квазихимические реакции. Из экспериментов с ячейкой Вагнера было выяснено, что концентрация электронных дефектов в исследованном образце RbCu Cl I составляет 1,25Ч1018 cm-3. Коэффициент диффузии электронных дефектов равен 1,5Ч10-8 cм2Чс-1 при их проводимости 1,2Ч10-7 СмЧcм-1. Расчетная величина потенциала стеклоуглеродного электрода после электрохимического разложения RbCu Cl I (0,606 В) удовлетворительно совпадает с экспериментальной величиной (0,58 В), что свидетельствует об адекватности рассмотренной моде ли возникновения электронных дефектов при приготовлении RbCu Cl I. 4 3 2
Бесплатно
Электрозвуковые волны, удерживаемые движущимся полосовым доменом в сегнетоэлектрическом кристалле
Статья научная
Обсуждаются особенности распространения междоменной щелевой электрозвуковой волны вдоль поперечно смещающегося в тетрагональном сегнетоэлектрике с постоянной скоростью полосового домена. В нерелятивистском квазистатическом приближении показано, что под влиянием движения полосового домена электрозвуковая волна из волны чисто поверхностного типа модифицируется в волну комбинированного подтекающе-оттекающего типа. Отмечается неодинаковый характер изменения параметров симметричной и антисимметричной моды электрозвуковой волны в результате движения полосового домена, проявляемый наиболее заметным образом в низкочастотной области спектра. Установлено, что в сегнетоэлектриках с высокой электромеханической связью масштаб локализации электрозвуковой волны в окрестности движущегося полосового домена не превышает нескольких длин волн, свидетельствуя об осуществимости трансляционного переноса электрозвуковой волны перемещающимся полосовым доменом.
Бесплатно
Электрофлуктуационный метод оценки качества биполярных транзисторных структур
Статья научная
Обсуждаются задачи, относящиеся к применению параметров и характеристик НЧ шума для оценки качества транзисторных структур. Предложена физическая эквивалентная шумовая схема транзисторной структуры, учитывающая неоднородность токораспределения по площади эмиттерного перехода и влияние распределенных сопротивлений активн ых областей. Обсуждается возможность использования предложенной схемы для анализа экспериментальных результатов и обоснованного выбора режимов и условий измерения НЧ шума в задачах диагностики транзисторных структур. Результаты теоретического анализа подтверждаются экспериментом.
Бесплатно
