Рост тонких пленок оксида цинка распылением ионным пучком
Автор: Халтанов В.Э.
Журнал: Вестник Бурятского государственного университета. Химия. Физика @vestnik-bsu-chemistry-physics
Статья в выпуске: 1, 2024 года.
Бесплатный доступ
В статье рассмотрено выращивание тонких пленок оксида цинка (ZnO) методом распыления ионными пучками. Рост покрытий осуществляли при распылении мишени оксида цинка (ZnO) пучком ионов аргона (Ar+) в вакуумной установке с плазменными ионными источниками. Исследованы особенности ростовых процессов. Проведено моделирование, были вычислены теоретические коэффициенты распыления согласно теории Зигмунда. Эксперимент и расчеты позволили рекомендовать оптимальные параметры ростовых процессов.
Тонкие пленки, оксид цинка, рост, моделирование, ионные пучки
Короткий адрес: https://sciup.org/148328411
IDR: 148328411 | DOI: 10.18101/2306-2363-2024-1-14-18
Список литературы Рост тонких пленок оксида цинка распылением ионным пучком
- Семенов А. П., Халтанова В. М. Устройство с двумя ионными плазменными источниками для нанесения тонких пленок // Приборы и техника эксперимента. 1990. № 6. С. 188-190. Текст: непосредственный. EDN: SCVDAZ
- Sigmund P. Theory of sputtering. Phys. Rev. 1969; Vol. 184, № 2: 383-416.
- Халтанов В. Э. Тонкие пленки оксида цинка ZnO: моделирование роста распылением ионным пучком // Актуальные вопросы научных исследований: материалы IX Международной научно-практической конференции. Саратов: Цифровая наука, 2023. С. 34-38. Текст: непосредственный.
