Сечения касательных расслоений

Бесплатный доступ

Показано, что на сечении касательного расслоения [1] может быть естественным образом построена почти эрмитова структура инвариантного типа [2]. Кроме того, найдены условия интегрируемости соответствующей комплексной структуры.

Касательное расслоение, сечение, почти эрмитова структура

Короткий адрес: https://sciup.org/14835109

IDR: 14835109

Текст научной статьи Сечения касательных расслоений

Пусть V – гладкое векторное поле на многообразии M, которое, как известно, можно рассматривать как сечение Pv (M) : M ^ T(M) каса тельного расслоения [1]. Сечение pv (M) может быть рассмотрено как подмногообразие в   T(M),   заданное   локально   уравнениями:

x = x1, yi = V1 (x).

Локальный базис B ( i )     сечения,   очевидно, имеет вид

B ( i ) :( B i ) A

5^ )                                             Г          1

, , относительно локального базиса J--1 . Вве- д Vh J                                          [дx1^yi'J дем также в рассмотрение локальный базис слоев касательного расслоения Су), где C (0; (C1A ) J 0 ).

_ _ Г д ) V

С(; =

Очевидно, что    (1) (дxi J . Базис {B(i), С(i)} называется адаптиро- ванным к сечению в (м).

Выразим в адаптированном к сечению (короче АS-) базисе горизонтальный лифт X H векторного поля X . Имеем XH = X h - ^ - X'lb = X h ( B ( h ) —д h VC (k ) ) - Я - Х С (-h ) = X h B ( h ) - ( V xV ) h C ( h) , т.е.

X H = BX - C ( V XV ) ,

(1) с ( V X V )

где BX - тангенциальная к P V ( M ) составляющая XH ,

H

– вертикальная составляющая X .

Б.В. Заятуев. Сечения касательных расслоений

Предложение 1. Горизонтальный лифт касается подмногообра-

зия P v ( M ) тогда и только тогда, когда V X V 0

.

Связь между AS-базисом, базисом { B (1 ) , C ( 1 ) } и адаптированным к

HV связности базисом

[51      I d I

e(‘) I ^1 I ,e(‘) I I vox /       

e — B.) - (VV)hC(h);

1       e — C(i);

и соответственно для двойственных базисов {B(,), C(i)} и {ei,e

le

e1 — B(1);

7 Vi)B(h) + C(i)

.

Воспользовавшись этими соотношениями, выразим тензоры J ид в

AS-базисе:

JJie, ® e1 + Jie ® ejJ'B,, ® B(j) - Ji V,VhCllt, ® B(j) + Ji VV VJC,, ® B(h) + J'C,, ® CJ) Ji                j 1                 J(1)                    j 1        (h)                    j h        (1)                    j (1)

т.е.

J” : (J*V Vh - Jh V .VJ') .

Следовательно,

JH(BX) = B(JX) + C(JVXV-VJV) .

Таким образом, имеет место

Предложение 2. Подмногообразие PV(M) инвариантно относитель-

I ,H                .    . JV V — V,.V, VX eN(M) .

но JJ тогда и только тогда, когда

Если Pv(M) инвариантно относительно J , то определим оператор

J1 Е T (Pv (M)) следующим образом: J1 (BX) — JH (BX) — B(JX) .

Очевидно, что J — также почти комплексная структура.

Пусть N — тензор Нейенхейса оператора J . Тогда

N(XV ,Y)—0,

N(X ,Y')—(N(X,Y)+2(VXY+JVxJY+ JVjxY -VjXJY)) ;

N(XV ,YV)—(N(X, Y)h + 2(;R(X, Y)+JHYR,X, JY) + JH^R,JX, Y)-]R(JX, JY)) где yR (X, Y) — R (X, Y)y.

Легко проверить, что если подмногообразие Pv(M) инвариантно относительно J , то N(BX,BY) = N(BX,BY), где N - тензор Нейенхей-са оператора J . Значит,

N (BX, BY) = N(BX, BY) = N (XH + (VXV )v, YH + (VYV)v) =

= N(X, Y) H + 2(yR (X, Y)).

Тем самым доказано

Предложение 3. Если подмногообразия Pv (M) инвариантно отно-

J            Г сительно , то AC-структура J интегрируема тогда и только тогда, когда интегрируема J и имеет место тождество r2 .

Для римановой метрики g = (Xgjj )V е ® ej + (gj )V e ® e , вычислив ее выражение в AS-базисе, получим:

g:

fXg + g*v,wV ghv у)

.

Отсюда g (BX, BY) = Xg (X, Y) + g (V xV , V YV)

.

Обозначим через g сужение метрики g на подмногообразие в (M) R           (3¥ (M) J

V . В случае, когда V – инвариантно, с учетом предложения 2 получаем предложение 4.

Предложение 4. Пара {J ,g }- почти эрмитова структура на

Pv(M) тогда и только тогда, когда JVxV = vjxV , VX gK(M).

Список литературы Сечения касательных расслоений

  • Yano K. and S. Ishihara. Tangent and Cotangent Bundles//New York, Marcel Dekker, INC., 1973, XII.
  • Заятуев Б.В. Об одном примере AH-структуры на касательном расслоении//Матем. заметки. -2004. -Вып. 5. -Т. 76.
Статья научная