Сечения касательных расслоений
Автор: Заятуев Батор Владимирович
Журнал: Вестник Бурятского государственного университета. Математика, информатика @vestnik-bsu-maths
Рубрика: Алгебра и геометрия
Статья в выпуске: 1, 2014 года.
Бесплатный доступ
Показано, что на сечении касательного расслоения [1] может быть естественным образом построена почти эрмитова структура инвариантного типа [2]. Кроме того, найдены условия интегрируемости соответствующей комплексной структуры.
Касательное расслоение, сечение, почти эрмитова структура
Короткий адрес: https://sciup.org/14835109
IDR: 14835109
Текст научной статьи Сечения касательных расслоений
Пусть V – гладкое векторное поле на многообразии M, которое, как известно, можно рассматривать как сечение Pv (M) : M ^ T(M) каса тельного расслоения [1]. Сечение pv (M) может быть рассмотрено как подмногообразие в T(M), заданное локально уравнениями:
x = x1, yi = V1 (x).
Локальный базис B ( i ) сечения, очевидно, имеет вид
B ( i ) :( B i ) A
5^ ) Г 1
, , относительно локального базиса J--1 . Вве- д Vh J [дx1^yi'J дем также в рассмотрение локальный базис слоев касательного расслоения Су), где C (0; (C1A ) J 0 ).
_ _ Г д ) V
С(; =
Очевидно, что (1) (дxi J . Базис {B(i), С(i)} называется адаптиро- ванным к сечению в (м).
Выразим в адаптированном к сечению (короче АS-) базисе горизонтальный лифт X H векторного поля X . Имеем XH = X h 1Ь - ^ - X'lb = X h ( B ( h ) —д h VC (k ) ) - Я - Х ‘ С (-h ) = X h B ( h ) - ( V xV ) h C ( h) , т.е.
X H = BX - C ( V XV ) ,
(1) с ( V X V )
где BX - тангенциальная к P V ( M ) составляющая XH ,
H
– вертикальная составляющая X .
Б.В. Заятуев. Сечения касательных расслоений
Предложение 1. Горизонтальный лифт касается подмногообра-
зия P v ( M ) тогда и только тогда, когда V X V — 0
.
Связь между AS-базисом, базисом { B (1 ) , C ( 1 ) } и адаптированным к
HV связности базисом
[51 I d I
e(‘) I ^1 I ,e(‘) I I vox / e — B.) - (VV)hC(h); 1 e — C(i); и соответственно для двойственных базисов {B(,), C(i)} и {ei,e — le e1 — B(1); 7 Vi)B(h) + C(i) . Воспользовавшись этими соотношениями, выразим тензоры J ид в AS-базисе: J — Jie, ® e1 + Jie ® ej — J'B,, ® B(j) - Ji V,VhCllt, ® B(j) + Ji VV VJC,, ® B(h) + J'C,, ® CJ) Ji j 1 J(1) j 1 (h) j h (1) j (1) т.е. J” : (J*V Vh - Jh V .VJ') . Следовательно, JH(BX) = B(JX) + C(JVXV-VJV) . Таким образом, имеет место Предложение 2. Подмногообразие PV(M) инвариантно относитель- I ,H . . JV V — V,.V, VX eN(M) . но J — J тогда и только тогда, когда Если Pv(M) инвариантно относительно J , то определим оператор J1 Е T (Pv (M)) следующим образом: J1 (BX) — JH (BX) — B(JX) . Очевидно, что J — также почти комплексная структура. Пусть N — тензор Нейенхейса оператора J . Тогда N(XV ,Y)—0, N(X ,Y')—(N(X,Y)+2(VXY+JVxJY+ JVjxY -VjXJY)) ; N(XV ,YV)—(N(X, Y)h + 2(;R(X, Y)+JHYR,X, JY) + JH^R,JX, Y)-]R(JX, JY)) где yR (X, Y) — R (X, Y)y. Легко проверить, что если подмногообразие Pv(M) инвариантно относительно J , то N(BX,BY) = N(BX,BY), где N - тензор Нейенхей-са оператора J . Значит, N (BX, BY) = N(BX, BY) = N (XH + (VXV )v, YH + (VYV)v) = = N(X, Y) H + 2(yR (X, Y)). Тем самым доказано Предложение 3. Если подмногообразия Pv (M) инвариантно отно- J Г сительно , то AC-структура J интегрируема тогда и только тогда, когда интегрируема J и имеет место тождество r2 . Для римановой метрики g = (Xgjj )V е ® ej + (gj )V e ® e , вычислив ее выражение в AS-базисе, получим: g: fXg + g*v,wV ghv у) . Отсюда g (BX, BY) = Xg (X, Y) + g (V xV , V YV) . Обозначим через g сужение метрики g на подмногообразие в (M) R (3¥ (M) J V . В случае, когда V – инвариантно, с учетом предложения 2 получаем предложение 4. Предложение 4. Пара {J ,g }- почти эрмитова структура на Pv(M) тогда и только тогда, когда JVxV = vjxV , VX gK(M).
Список литературы Сечения касательных расслоений
- Yano K. and S. Ishihara. Tangent and Cotangent Bundles//New York, Marcel Dekker, INC., 1973, XII.
- Заятуев Б.В. Об одном примере AH-структуры на касательном расслоении//Матем. заметки. -2004. -Вып. 5. -Т. 76.