Использования двузонного осциллографа для изучения ВАХ

Для наблюдения графика вольт-ампер эталонный резистор помещается последовательно с исследуемым электронным устройством. Графики и рисунки, использованные в этом исследовании, были подготовлены с использованием программного обеспечения splan. Если мы изучаем полупроводниковый выпрямительный диод, а не резистор, когда мы видим значение напряжения для него, эталонное сопротивление остается, и первый резистор заменяется. Кроме того, в реальных ситуациях работа часто находится на пределе возможностей, поэтому таблицу часто называют «идеальным» или экспериментальным VAX. Это, в свою очередь, гарантирует, что устройство работает правильно в течение длительного времени. Эффективность работы заключается в том, что в будущем на базе контроллера мы сможем быстро получить VAX различных электронных устройств в разных условиях.

Чем выше точность измерения прибора, тем шире диапазон применения[1,2], Значения удельного сопротивления не могут служить четким критерием для классификации веществ.

p=po(1 + at)                      (1)

Из выражения (1) видно, что повышение температуры вызывает увеличение сопротивления. где удельное сопротивление металла при 0 ° С температурный коэффициент сопротивления составляет 1/273. В полупроводниках природа сопротивления и температурная зависимость проводимости различны, для данного температурного диапазона они соотносятся с помощью следующего выражения     р₀а.

р = p₀e" t (2) или проницаемость:    о = о₀е ^Т       (3)

где и является константой, которая подходит для конкретного температурного диапазона, характерного для каждого полупроводникового материала. р₀о₀

В полупроводниках проводимость уменьшается с понижением температуры. Отсюда следует, что свободные носители заряда в полупроводнике образуются в результате воздействия тепла. Полупроводники представляют собой материалы, которые имеют определенную проводимость при комнатной температуре в диапазоне (Ом-1 см-1), который во многом зависит от структуры вещества, типа и количества постороннего вещества и внешних условий 10-6 ^ 104 [3].

Проводимость зависит от внешних воздействий, таких как температура, свет, электрические и магнитные поля и излучение ядерных частиц. В ионной проводимости ток проходит через ионы вещества, обычными представителями ионной проводимости являются электролиты. Полупроводники могут быть как электронными, так и ионными, В этой статье мы рассмотрим только физические свойства электронных полупроводников. Полупроводники представляют собой небрикетированные вещества: барий Б; кремний Si; фосфор Р; олтингугурт S; германий Ge; арсенид А; серый олово Sn; селен се; Теллур Те и многие сложные химические соединения могут быть приведены в качестве примеров [4],

Образование свободных электронов в полупроводниковых веществах объясняется теорией зон, основанной на квантовой физике [5-6], Когда образуется полупроводниковое вещество, то есть когда атомы приближаются друг к другу на расстоянии около 108 см, волновые функции электронов атомов совпадают. За счет этого уровень энергии валентных электронов становится зональным. Эта зона называется валентностью [7], Фиксированные энергетические зоны отделены друг от друга прерыванием энергии, называемым запрещенной зоной. Это зависит от химических связей образующихся элементов. Если исследовать плотность тока, образующегося в проводимости, из скорости и концентрации свободных электронов в движении, то следующим образом / = — ^ и.

Предположим, что все квантовые состояния в энергетической зоне заняты электронами. В этом случае будет существовать плотность электрического тока для всей электронной системы. Потому что любой электрон со скоростью v может быть взаимосвязан. Когда ковалентные связи в полупроводнике разрываются, например, из-за нагрева, появляются пустой электрон и дырка на его месте / = —^v£vs = 0 [5]. Это эквивалентно переходу электрона из валентной зоны в зону проводимости. Общая плотность тока всех электронов в валентной зоне записывается следующим образом;

J = -^X v _s^i - -^ S barcha ^S + ^                (4)

^            ^ satx uchun    ^

из этого выражения ясно, что плотность тока для правой стороны равна нулю. Скорость электрона определяется с учетом следующих предположений. Следовательно (n) Пусть dt - вероятность столкновения электрона во времени. Мы также предполагаем, что вероятность столкновения, соответствующего 1/т единичного времени, не зависит от времени, то есть это определенное постоянное значение. - Количество столкновений для n частиц во времени равно dt, соответственно, n dt/t0. Чтобы увеличить емкость устройства, установка источника тепла, который обеспечивает температуру выше комнатной, показывает, что проводимость проводящего элемента зависит от температуры. По этой причине можно получить источник тепла с помощью электричества или работать на основе выражений. В то же время можно игнорировать изменения температуры в течение мгновенного интервала времени. Потому что когда это произойдет. Следовательно, чем меньше время выключения VAX, тем выше точность. В связи с этим целесообразно получение VAX с помощью осциллографа, а также использование метода, основанного на автоматизации на основе устройств, собранных на основе микроконтроллера

dn - n<^^di~dT ^^~dTd.td.t ^ 0dT ^ 0 t r

Чтобы определить VAX, нам также нужно знать силу тока. Потому что, если мы поместим напряжение (V) вдоль оси X на графике, мы разместим ток (мА) вдоль оси Y и опишем их взаимозависимость на том же графике. Технология электроники сегодня состоит в основном из полупроводниковых материалов. Получение VAX под воздействием внешних воздействий, включая температурную деформацию, электростатическое поле, электромагнитное поле, переменное электромагнитное поле и т. Д., Является довольно сложным процессом в этом исследовании. настройки идут. Это в свою очередь требует автоматизации работы.