Использования двузонного осциллографа для изучения ВАХ
Автор: Мамаханов А.А., Эргашов А.К., Шарифбаев Р.Н., Тошбоев С.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 6 (60), 2020 года.
Бесплатный доступ
Обсуждаются проблемы и преимущества получения VAX из экспериментального оборудования, осциллографа, в нормальных учебных лабораторных условиях. Внешние влияния и особенности устройств учитываются в решении задачи. Предложен простой способ получения VAX.
Электронное устройство, вах, осциллограф, полупроводник
Короткий адрес: https://sciup.org/140275539
IDR: 140275539
Список литературы Использования двузонного осциллографа для изучения ВАХ
- П. Кова и А. Сингх, "Температурная зависимость IV и CV характеристик Ni / n-CdF2 диодов барьера Шоттки", Твердотельный Электрон.том 33, нет. 1, с. 11-19, 1990, 10.1016 / 0038-1101 (90) 90003-W. DOI: 10.1016/0038-1101(90)90003-W
- Дж. Л. Чжан, Дж. С. Юань, Ю. Ма, А. С. Оутс, "Моделирование прямого туннелирования и влияния шероховатости поверхности на характеристики CV МОП-конденсаторов со сверхтонкими затворами", Твердое вещество. Государство. Электрон.том 45, нет. 2, с. 373-377, 2001, 10.1016 / S0038-1101 (00) 00234-3. DOI: 10.1016/S0038-1101(00)00234-3
- Гулямов Г.И., Эркабоев Ю.И., Шарибаев Н.Я. Моделирование температурной зависимости плотности состояний в сильном магнитном поле. J. Мод. Phys.том 05, нет. 08, стр. 680-685, 2014, 10.4236 / jmp.2014.58079. DOI: 10.4236/jmp.2014.58079
- Гулямов Г.Г., Дадамирзаев М.Г., Шарибаев Н.Я., Зокиров Н.М. ЭДС носителей с горячим зарядом, возникающих на pn-переходе под воздействием СВЧ-поля и света. J. Electromagn. Анальный. Appl.том 07, нет. 12, с. 302-307, 2015, 10.4236 / jemaa.2015.712032. DOI: 10.4236/jemaa.2015.712032
- Г. Гулямов, А. Г. Гулямов, А. Г. Эргашев, Б. Т. Абдулазизов, "Использование фазовых портретов для изучения процессов генерации-рекомбинации в полупроводниках".
- Х. Чжэн, Г. Чен и С. М. Роуланд, "Влияние напряжений переменного и постоянного тока на электрическое дерево в полиэтилене низкой плотности" Int. J. Electr. Сила Энергия Сист.том 114 января 2020, 10.1016 / j.ijepes.2019.105386. DOI: 10.1016/j.ijepes.2019.105386
- Гулямов Г.Ю., Эркабоев Ю.И., Шарибаев Н.Я. Исследование температурной зависимости колебаний магнитной восприимчивости в полупроводниках. J. Мод. Phys.том 05, нет. 17, с. 1974-1979, 2014, 10.4236 / jmp.2014.517192. DOI: 10.4236/jmp.2014.517192
Статья научная
