Эксперимент “КАРБОН” на космическом аппарате “Бион-М” № 1
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Механика и машиностроение
Статья в выпуске: 6-1 т.15, 2013 года.
Бесплатный доступ
В статье рассматриваются цели и задачи исследования, основные результаты проведенного на космическом аппарате “БИОН-М” № 1 эксперимента “КАРБОН”. Описаны основные этапы разработки эксперимента и научной аппаратуры “КАРБОН”. С учетом возможных областей применения в экстремальной микро- и наноэлектронике и аэрокосмическом приборостроении приведены краткие сведения о свойствах карбида кремния, как уникального полупроводникового материала.
Похожие статьи в разделе Техника средств транспорта
Короткий адрес: https://sciup.org/148202508
IDS: 148202508 | УДК: 629.78:
The experiment “CARBON” on the spacecraft “Bion-M” 1
The article discusses the purposes and research problems, main results for the space experiment "CARBON" made on the spacecraft "BION-M" # 1. It describes the main development stages of the experiment and the scientific equipment "CARBON". With regard to the possible field of application in extreme micro - and nanoelectronics and aerospace instrument-making provides a summary of information about properties of silicon carbide as a unique semiconductor material.
Список литературы Эксперимент “КАРБОН” на космическом аппарате “Бион-М” № 1
- Кирилин А.Н., Аншаков Г.П., Ахметов Р.Н., Сторож А.Д. Космическое аппарато-строение: научно-технические исследования и практические разработки ГНПРКЦ “ЦСКБ-Прогресс” [под ред. д.т.н. А.Н. Кирилина]. Самара: Изд-ский дом “АГНИ”, 2011. 280 с.
- Панасюк М.И. Модель космоса: Научно-информационное издание в 2-х т. Т.2: Воздействие космической среды на материалы и оборудование космических аппаратов. М.: КДУ, 2007. 1144 с.
- Курганская Л.В. Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот. Автореферат дис. … канд. физ.-мат. наук. Самара, 2009. 19 с.
- Лебедев А., Сбруев С. SiC-электроника: прошлое, настоящее, будущее//ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2006. №5. С.28-41.
- Карбид кремния: технология, свойства, применение [ под ред. А.Е. Беляева, Р.В. Конаковой]. Харьков: ИСМА. 2010. 532 с.
- Бакланов А.И. Системы наблюдения и мониторинга. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. 234 с.
- Абрашкин В.И., Горелов Ю.Н., Курганская Л.В., Щербак А.В. Об экспериментальных исследованиях влияния факторов космического пространства на тонкопленочные структуры карбида кремния//Обозрение приклад. и промышл. математики (Тезисы доклада на XII Всеросс. Симпозиуме по прикладной и промышленной математике; г.Казань,1 -8 мая 2011 г.). 2011. Т.18. В.2. С.241-242.
- Воронов В.К., Подоплелов А.В., Сагдеев Р.З. Физика на переломе тысячелетий: Физические основы нанотехнологий. М.: Книжный дом “ЛИБРОКОМ”, 2011. 432 с.
- Курганская Л.В., Щербак А.В. Разработка измерителей высоких уровней СВЧ-мощности на основе структур карбид кремния на изоляторе для аэрокосмических систем//Известия Самарского научного центра РАН. 2011. Т.13. № 6. С.30-36.
