Обработка сигналов. Рубрика в журнале - Математическая физика и компьютерное моделирование

Влияние характеристик зарядовых процессов в твердотельных слоистых структурах на эффективность переноса заряда у приборов с зарядовой связью

Заярный В.П., Романов Р.Н., Смирнов К.О.

Статья научная

Описаны усовершенствованные методики определения характеристик (частотного фактора и порядка кинетики) твердотельных структур, содержащих слои диэлектрика и полупроводника. Для структур типа «металл - поликремний - диэлектрик - полупроводник», имеющих зарядовую связь, установлена зависимость потери сигнального заряда при его переносе в приповерхностной области полупроводника от указанных характеристик.

Бесплатно

Голографические интерферограммы вибрирующих пьезоэлементов из керамики

Титов В.А.

Статья научная

Для основной радиальной моды тонких дисков из пьезокерамических материалов ТБК и ЦТС получены голографические интерферограммы на частоте антирезонанса. Для диска из ТБК визуализированы колебания поверхности на резонансе и на антирезонансе для радиальной моды более высокого порядка. На сдвиговом пьезоэлементе визуализирована паразитная изгибная мода. Содержатся методические рекомендации по голографированию пьезоэлементов.

Бесплатно

Информационные возможности для синтеза адаптивных систем в физическом эксперименте

Заярный В.П., Романов Р.Н., Смирнов К.О.

Статья научная

Обоснована возможность синтеза оптимальных измерительных структур в системах для физических исследований на основе требований проводимого эксперимента. Сформулированы основные положения предлагаемого метода синтеза.

Бесплатно

О влиянии концентрации примесных центров захвата носителей заряда в твердотельных слоистых структурах на их свойства

Заярный Вячеслав Петрович, Пономарев Игорь Николаевич, Фролов Андрей Александрович, Астафурова Ольга Александровна

Статья научная

Выявлена зависимость характеристик зарядовых процессов в слое полупроводника (частотного фактора и порядка кинетики) в составе твердотельных слоистых структур типа «металл -диэлектрик - полупроводник» от концентрации центров захвата заряда на моноэнергетическом уровне в слое полупроводника, обусловленного наличием в нем легирующей примеси различной концентрации. Установлена зависимость потери заряда, обусловленной его захватом на ловушках моноэнергетического уровня, при переносе в приповерхностной области полупроводника от указанных характеристик зарядовых процессов.

Бесплатно

Оптимальная адаптивная система для исследования зарядовых и частотных свойств гетероструктур с зарядовой связью

Заярный Вячеслав Петрович, Пономарев Игорь Николаевич, Гирич Сергей Владимирович, Астафурова Ольга Александровна

Статья научная

Разработана система для исследования зарядовых и частотных характеристик твердотельных гетероструктур в составе приборов с зарядовой связью и особенностей взаимодействия носителей заряда в слоях гетероструктур с внешними полями радиочастотного диапазона. Оптимизация измерительных цепей системы производилась на основе требований проводимых экспериментов.

Бесплатно