О влиянии концентрации примесных центров захвата носителей заряда в твердотельных слоистых структурах на их свойства
Автор: Заярный Вячеслав Петрович, Пономарев Игорь Николаевич, Фролов Андрей Александрович, Астафурова Ольга Александровна
Журнал: Математическая физика и компьютерное моделирование @mpcm-jvolsu
Рубрика: Обработка сигналов
Статья в выпуске: 10, 2006 года.
Бесплатный доступ
Выявлена зависимость характеристик зарядовых процессов в слое полупроводника (частотного фактора и порядка кинетики) в составе твердотельных слоистых структур типа «металл -диэлектрик - полупроводник» от концентрации центров захвата заряда на моноэнергетическом уровне в слое полупроводника, обусловленного наличием в нем легирующей примеси различной концентрации. Установлена зависимость потери заряда, обусловленной его захватом на ловушках моноэнергетического уровня, при переносе в приповерхностной области полупроводника от указанных характеристик зарядовых процессов.
Короткий адрес: https://sciup.org/14968581
IDR: 14968581
Список литературы О влиянии концентрации примесных центров захвата носителей заряда в твердотельных слоистых структурах на их свойства
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн./Пер. с англ. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Мир, 1984. 456 с.
- Приборы с зарядовой связью/Пер. с англ.; Под ред. Д.Ф. Барба. М.: Мир, 1982. 240 с.
- Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1991. 248 с.
- Заярный В.П. Исследование частотных свойств твердотельных слоистых структур в составе приборов с зарядовой связью//Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 3. С. 29-35.
